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パワーMOS FETリレー G3FM
- 通常単価(税別)
- 3,300円～3,555円
- 税込単価
- 3,630円～3,911円
漏れ電流100μA以下、ブリーダ抵抗不要の微少負荷開閉用のSSR。【特長】・形MY（2極タイプ）と同寸...
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商品情報
パワー MOS FETリレー G3FMの仕様
パワー MOS FETリレー G3FMの外観
G3FMの外形寸法図（正面図） 単位：mm
G3FMの外形寸法図 （側面図）単位：mm
G3FMの端子配置／内部接続図
特長
- プッシュインPlus端子台ソケット形PYF-08-PU（別売）との組み合わせで配線工数短縮
- バリスタ内蔵により外来サージの吸収効果が優れている
| 項目 | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 形式 | 入力 | 出力 | |||||||
| 定格電圧 | 使用電圧 | インピーダンス | 電圧レベル | 定格負荷電圧 | 負荷電圧範囲 | 負荷電流 * | サージオン 電流耐量 |
||
| 動作電圧 | 復帰電圧 | ||||||||
| 形G3FM-2R5SLN | DC5V | DC4～6V | 250Ω±20％ | DC4V以下 | DC1V以上 | AC24～240V DC24～110V |
AC19.2～264V DC19.2～125V |
1～500mA （40℃にて） |
6A（10ms） |
| DC12V | DC9.6～14.4V | 600Ω±20％ | DC9.6V以下 | ||||||
| DC24V | DC19.2～28.8V | 1.2kΩ±20％ | DC19.2V以下 | ||||||
*周囲温度により異なります。詳細はカタログの特性データ「●負荷電流－周囲温度定格」を参照ください。
| 動作時間 | 5ms以下 |
|---|---|
| 復帰時間 | 10ms以下 |
| 出力オン電圧降下 | 3V（RMS）以下 |
| 漏れ電流 | 0.1mA以下（AC200Vにて） |
| 絶縁抵抗 | 100MΩ以上（DC500Vメガにて） |
| 耐電圧 | AC1,500V 50/60Hz 1min |
| 振動 | 10～55～10Hz 片振幅0.75mm（複振幅1.5mm） |
| 衝撃 | 1,000m/s2 |
| 保管温度 | －30～＋100℃（ただし、 氷結および結露しないこと） |
| 使用周囲温度 | －30～＋80℃（ただし、 氷結および結露しないこと） |
| 使用周囲湿度 | 45～85％RH |
| 質量 | 約50g |
- ※ 上記以外の仕様につきましては、カタログをご参照ください。
型番リスト
通常単価(税別)
(税込単価) | 通常出荷日 |
|---|
3,555円 ( 3,911円 ) | 在庫品1日目当日出荷可能 |
3,300円 ( 3,630円 ) | 在庫品1日目当日出荷可能 |
3,380円 ( 3,718円 ) | 在庫品1日目当日出荷可能 |
詳細情報
基本情報
漏れ電流100μA以下、ブリーダ抵抗不要の微少負荷開閉用のSSR。
【特長】
・形MY（2極タイプ）と同寸法。
・1～500mAの微少負荷開閉用のソリッドステート・リレー。
・AC・DC共用開閉で、DC開閉は無極性。
・AC19.2～264V、DC19.2～125Vと広範囲の開閉が可能。
・AC全波整流負荷・半波整流負荷が開閉可能。
・形MYを直接開閉（ブリーダ抵抗不要）。
・バリスタ内蔵により外来サージの吸収効果が優れています。
【用途】
・SSR特有の漏れ電流が少ない為、微少負荷開閉が必要な場合使用。
カタログ
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よくあるご質問（FAQ）
考えられる原因は、以下の通りです。
・考えられる原因
①周囲温度上昇による定格電流オーバー
②負荷短絡による定格電流オーバー
③外来サージによる定格電流オーバー
・対策
①②ご使用の使用周囲温度を測定していただき、負荷特性にあったSSRに交換してください。
SSRは、使用周囲温度によって開閉容量が変化する特性があり、温度が上昇すると開閉容量が小さくなります。
盤内の取りつけ間隔や季節の影響など周囲温度による影響を考慮の上、SSRを再選定してください。
③サージ対策については、関連情報の「ソリッドステート・リレー使用上の注意」「出力回路に関して」をご参照ください。
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