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研究用高純度シリコンウェハー CZ法

研究用高純度シリコンウェハー CZ法【25個入り】

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研究開発用として実績のある高純度材料を用いたシリコンウェハーです。【仕様】・製...

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  • 商品タイプ
    素材
  • 材質
    【その他】その他
  • 材質詳細
    単結晶シリコン
  • 抵抗値
    0.1~100Ω・cm
  • OF位置
    110
  • 製造方法
    CZ法
  • 面方位
    100
  • OF長さ公差 (mm)
    ±2.5
  • ウェハー厚公差 (μm)
    ±25

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  • 半導体向けの結晶材を使用して製造されていますが、材料純度に関する証明などには対応できません。
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型番

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    型番メーカー型式サイズ(inch)OF長さ(mm)OF長さ公差(mm)ウェハー厚(μm)ウェハー厚公差(μm)OF位置面方位抵抗値(Ω・cm)パーティクル
    2-960-533×P型P322.5±2.5380±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-554×P型P432.5±2.5525±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-564×N型N432.5±2.5525±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-575×P型P542.5±2.5625±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-585×N型N542.5±2.5625±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-596×P型P647.5±2.5625±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-606×N型N647.5±2.5625±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-632×P型P217.5±2.5280±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下
    2-960-642×N型N217.5±2.5280±251101000.1~100≧0.3μm、10個以下

    絞り込み条件:5 項目の仕様が未選択です

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    パーティクル

    最小発注数量
    22.5
    0.38
    P型
    3×P型
    3
    0.3μm、10個以下
    1パック

    25個入り

    32.5
    0.525
    P型
    4×P型
    4
    0.3μm、10個以下
    1パック

    25個入り

    32.5
    0.525
    N型
    4×N型
    4
    0.3μm、10個以下
    1パック

    25個入り

    42.5
    0.625
    P型
    5×P型
    5
    0.3μm、10個以下
    1パック

    25個入り

    42.5
    0.625
    N型
    5×N型
    5
    0.3μm、10個以下
    1パック

    25個入り

    47.5
    0.625
    P型
    6×P型
    6
    0.3μm、10個以下
    1パック

    25個入り

    47.5
    0.625
    N型
    6×N型
    6
    0.3μm、10個以下
    1パック

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    17.5
    0.28
    P型
    2×P型
    2
    0.3μm、10個以下
    1パック

    25個入り

    17.5
    0.28
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    2
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    通常単価(税別) (税込単価)
    通常出荷日
    97,188
    ( 106,907 )
    15日目
    102,058
    ( 112,264 )
    10日目
    97,188
    ( 106,907 )
    10日目
    109,337
    ( 120,271 )
    10日目
    109,337
    ( 120,271 )
    10日目
    132,478
    ( 145,726 )
    10日目
    126,158
    ( 138,774 )
    15日目
    95,950
    ( 105,545 )
    1日目
    95,950
    ( 105,545 )
    1日目

    詳細情報

    基本情報

    研究開発用として実績のある高純度材料を用いたシリコンウェハーです。
    【仕様】
    ・製造方法:CZ法
    ・面方位:100
    ・OF位置:110
    ・抵抗値:0.1~100Ω・cm(低抵抗:≦0.02Ω・cm、高抵抗:≧500Ω・cm)
    ・パーティクル:≧0.3μm、10個以下

    ご注意

    • 半導体向けの結晶材を使用して製造されていますが、材料純度に関する証明などには対応できません。
    • 〈表示価格に関する重要なお知らせ〉
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    研究用高純度シリコンウェハー CZ法のレビュー
    5平均満足度:5.01件のレビュー
    製品の部品として使用しています
    5
    満足度:5.0
    シリコンウェハー搬送装置の部品を製作する上で、搬送品の実物を使い試験する上で、この商品を選定しました。以前は、大きなサイ...もっと読む
    0人が参考にしています。

    よくあるご質問(FAQ)

    Q表面粗さ(Ra)を教えてください。
    A
    表面粗度(Ra)の基準を設けてないので保証値はお知らせできません。
    Q有機物除去目的の洗浄は実施されていますか?
    A
    SC1洗浄は行っていますが、有機物洗浄の保証はされていません。また、搬送ケースなどから微量の有機物が付着する可能性があり、完全な有機物フリーではありません。
    Q平坦度を教えてください。
    A
    平坦度はTTVで10μm以下です。平均は5μm程度と考えられます。

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    通常出荷日1日目〜在庫品1日目9日目19日目1日目〜1日目〜
    商品タイプ素材-素材素材素材素材
    材質【その他】その他-【樹脂】ふっ素樹脂【その他】その他【その他】その他【磁石】ネオジウム磁石
    材質詳細単結晶シリコン-PTFE四(フッ化エチレン)-表面処理:ニッケルメッキ-
    抵抗値0.1~100Ω・cm-----
    OF位置110-----
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