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- NI-780S
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- NI-650H-4L
- SOT-563
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- SOT-563-6
- SOT-553
- SOT-523
- SOT-523-3
- DE-475-6
- SOT-457T
- NI-400S-2S
- SOT-363T
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- TO-226-3、TO-92-3標準本体
- TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
- TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード
- TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成形フォームドリード）
- SOT-223-8
- SOT-223-4
- SOT-223-3
- TO-220FM
- TO-220-5フルパッッケ-ジ
- Super-220™-3(ストレ-トリ-ド)
- TO-220-3
- TO-220-3フルパック、バリアント
- TO-220-3フルパック、成形リード
- TO-220-3フルパック、絶縁タブ
- TO-220-3フルパッケ-ジ
- TO-220-3フルパッッケ-ジ
- TO-220-3フルパッッケージ
- TO-220-3成形フォ-ムドリ-ド
- TO-220-3絶縁タブ
- TO-220-2フルパッッケージ
- TO-206AF、TO-72-4金属缶
- TO-206AA、TO-18-3金属缶
- TO-205AD、TO-39-3金属缶
- SOT-143R
- SC-101、SOT-883
- SC-100、SOT-669
- SC-100、SOT-669、4-LFPAK
- SC-96
- SC-95-6
- TO-92-3
- SC-89、SOT-490
- SOT-89, TO-243
- SOT-89-3
- SC-88, SC-70-6, SOT-363
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- SC-85
- SC-83
- SC-82A、SOT-343
- SC-75A
- SC-75、SOT-416
- PowerPAKSC-75-6Lデュアル
- PowerPAK®SC-75-6L
- PowerPAK®SC-75-6Lデュアル
- SC-74A、SOT-753
- SC-74、SOT-457
- SC-74, SOT-26, SOT-457
- SC-70、SOT-323
- PowerPAK?SC-70-6
- PowerPAKSC-70-6デュアル
- PowerPAK®SC-70-6
- PowerPAK®SC-70-6デュアル
- SC-70-6
- SC-70-3
- SC-67-3
- SC-63,TO-252,SOT-428, DPAK
- SC-62-3
- SC-61AA
- TO-46-3
- MP-45F／TO-220
- PMCP-32x2
- PMCP-31.8x1.6
- SOT-26-6
- SMPD-24
- SOT-23
- SOT-23-6
- TSOT-23-6
- SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
- SOT-23-5薄型、TSOT-23-5
- SOT-23-3
- SOT-23-3フラットリ-ド
- SOT-23-3フラットリード
- SOT-23-3（TO-236）
- PQFN-18
- PowerSO-10露出ボトムパッド
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド(2ストレ-トリ-ド)
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド(2成形リ-ド)
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド（2成形リード）
- ChipFET-8
- DPQFN-8
- HSO-8
- HSOF-8
- HSSO-8
- MSOP-8
- PQFN-8
- PowerFLAT-8
- PowerPAKSO-8
- PowerPAK®SO-8
- PowerPAK®SO-8デュアル
- SM-8
- SO-8
- SOIC-8
- SOIC-Narrow-8
- SOP-8
- TSON-8
- VSON-FET-8
- WDFN-8
- WMini-8-F1
- WSMini-8-F1-B
- DFN-6
- DPQFN-6
- DirectFET-6
- PQFN-6
- TSOP-6
- UDFN-6
- WSMini-6-F1-B
- WSSMini-6-F1
- SMini-6-F3-B
- SSMini-6-F3-B
- DirectFET-5
- WLCSP-4
- D-3モジュ-ル
- D-PAK-3
- DPAK-3
- DirectFET-3
- E-Line-3
- IPAK-3
- TO-3P
- TO-3PF
- TO-3PL
- TO-3PSG
- UFM-3
- MP-3Z／TO-252
- TO-3PFM、SC-93-3
- TO-3P-3
- TO-3P-3フルパッッケ-ジ
- TO-3P-3フルパッッケージ
- TO-3P-3、SC-65-3
- TO-3P-3、SC-65-3（形成済みリード）
- SMini-3-G1-B
- SMini-3-F2-B
- SSSMini-3-F2-B
- SSMini-3-F3-B
- PLD-1.5
- PLD-1.5W
- PLD-1.5W-2
- T-1
- F1モジュール
- SP1
- U-G1
- X1-DFN1006-2
- X1-DFN1212-3
- 2-SMD、ノーリード、露出パッド
- 2ピンSMD
- ATPAK(2リ-ド+タブ)
- ATPAK（2リード+タブ）
- DirectFET™アイソメトリックM2
- U-G2
- DPAK（L）-（2）／TO-251
- D2PAK-7
- D2PAK-3
- I2PAK-3
- X2-DFN0606-3
- X2-DFN1006-3
- 3-SMD、フラットリード
- 3-SMD、リードなし
- 3-UDFN
- 3-UFDFN
- 3-WDSON
- 3-XDFN
- 3-XDFN露出パッド
- 3-XFDFN
- 3-XFLGA
- 3ピンCP
- 3ピンCPH
- 3ピンSMD、フラットリ-ド
- 3ピンSMD、フラットリード
- 3ピンSMD、リードなし
- 3ピンUSFP
- 3ピンVTFP
- 3ピンWDSON
- 3ピンXDFN露出ボトムパッド
- 3ピンXFDFN
- 3ピンXFLGA
- SP3
- Y3-Li
- CPH3, SC-59, SOT-23, TO-236
- XDFN3-3
- 4-Micro-X
- 4-PowerFlat™HV
- 4-PowerTSFN
- 4-SMD、フラットリード
- 4-SMD、リードなし
- 4-UFBGA
- 4-UFBGA、CSPBGA
- 4-UFBGA、DSBGA
- 4-UFBGA、FCBGA
- 4-UFBGA、WLBGA
- 4-UFBGA、WLCSP
- 4-VSFN露出パッド
- 4-VSFN露出ボトムパッド
- 4-XDFN
- 4-XFBGA
- 4-XFBGA、CSPBGA
- 4-XFBGA、WLBGA
- 4-XFBGA、WLCSP
- 4-XFDFN
- 4-XFLGA
- 4-XFLGA、CSP
- 4ピンPowerFlat?HV
- 4ピンPowerFlatHV
- 4ピンSIP
- 4ピンSMD
- 4ピンSMD、リ-ドなし
- 4ピンTSFN、露出ボトムパッド
- 4ピンTSFN露出パッド
- 4ピンUFBGA、DSBGA
- 4ピンUFBGA、WLCSP
- 4ピンVSFN露出ボトムパッド
- 4ピンXFBGA
- 4ピンXFBGA、CSPBGA
- DirectFET™アイソメトリックM4
- SP4
- ダイ外径(4-はんだ棒)
- ISOPLUS-i4-5
- i4-Pac™-5(3リ-ド)
- i4-Pac™-5（3リード）
- ISOPLUS-i4-3
- 4-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 4ピンEFCP（1.61x1.61）
- 5ピンLGA
- 5ピンMCPH
- 5ピンXFLGA
- ISOPLUSi5-Pak™
- ダイ外径(5-はんだ棒)
- 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353
- 6-MICROFOOT™
- 6-PowerPair™
- 6-PowerUDFN
- 6-PowerUFDFN
- 6-PowerVDFN
- 6-PowerWDFN
- 6-PowerXDFN
- 6-SMD、フラットリード
- 6-SMD、フラットリード露出パッド
- 6-SMD、リードなし
- 6-UDFN露出パッド
- 6-UDFN露出ボトムパッド
- 6-UFBGA
- 6-UFBGA、DSBGA
- 6-UFBGA、WLBGA
- 6-UFBGA、WLCSP
- 6-UFDFN露出パッド
- 6-UFDFN露出ボトムパッド
- 6-VDFN露出パッド
- 6-VFBGA、WLBGA
- 6-VQFN
- 6-WDFN露出パッド
- 6-WFDFN露出パッド
- 6-XFBGA
- 6-XFBGA、WLCSP
- 6-XFDFN
- 6-XFDFN露出パッド
- 6-XFDFN露出ボトムパッド
- 6-XFLGA
- 6-パワ-VDFN
- 6ピンCPH
- 6ピンCSP
- 6ピンPowerWDFN
- 6ピンSCH
- 6ピンSMD、フラットリ-ド
- 6ピンSMD、フラットリード
- 6ピンUDFN露出ボトムパッド
- 6ピンUFBGA、DSBGA
- 6ピンUFDFN露出ボトムパッド
- 6ピンVDFN露出ボトムパッド
- 6ピンWDFN露出パッド
- 6ピンXFBGA
- 6ピンXFDFN露出ボトムパッド
- DirectFET™アイソメトリックL6
- SP6
- ダイ外径(6-はんだ棒)
- 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 6-VSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンTSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンVSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンUDFN（1.6x1.6）
- 6ピンEFCP（1.9x1.46）
- 6ピンUDFN（2x2）
- 6ピンWDFN（2x2）
- 6ピンEFCP（2.7x1.81）
- 6-SMD（5リード）、フラットリード
- 6-MLP、Power33
- ダイ外径(7-はんだ棒)
- 8-PowerLDFN
- 8-PowerPak®CHIPFET™
- 8-PowerSFN
- 8-PowerSMD、フラットリ-ド
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- 8-PowerUDFN
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- 8-TQFN露出ボトムパッド
- 8-UDFN露出ボトムパッド
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- 8-VQFN露出ボトムパッド
- 8-WDFN露出パッド
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- 8-パワ-VDFN
- 8-パワ-VQFN
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- 8ピンパワ-VDFN
- 8ピンパワーTDFN
- DirectFET™アイソメトリックL8
- HSOP8
- HSOP8S
- SOP8
- SO−8 FLAT LEAD
- SO−8FL
- TSMT8
- WDFN8
- 8-TSOP（0.130インチ、3.30mm幅）
- 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
- 8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）露出パッド
- 8ピンSOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
- 8ピンSOIC(0.154インチ、3.90mm幅)露出ボトムパッド
- 8ピンSOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 8-SOIC（0.173インチ、4.40mm幅）
- 8-TSSOP（0.173インチ、4.40mm幅）
- 8ピンTSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
- 8-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- SO8-F1-B
- 8-PowerTDFN、5リード
- 8ピンPowerTDFN、5 リード
- 8ピンPowerTDFN、5リ-ド
- HSOP8D（5×6）
- 8ピンDFN（5x6）デュアルフラグ（SO8FLデュアル非対称）
- PowerPAK®8x8デュアル
- 8-TSSOP、8-MSOP(0.118インチ、3.00mm幅)
- 8-TSSOP、8-MSOP（0.118インチ、3.00mm幅）
- 9-UFBGA、DSBGA
- 9-UFBGA、WLBGA
- 9-VFBGA
- 9ピンUFBGA、DSBGA
- 10-PolarPAK®（L）
- 10-PolarPAK®（S）
- 10-PowerSOPモジュール
- 10-SMD、リードなし
- 10-XFBGA
- 10ピンPolarPAK(L)
- 10ピンSMDモジュ-ル
- 10ピンXFBGA
- ダイ外径(11-はんだ棒)
- 12-PowerWDFN
- 12-SIP
- 12-SIP、露出ボトムパッド
- 12-UFQFN露出パッド
- 12-VFDFN露出パッド
- 12-WDFN露出パッド
- 12ピンUFBGA、DSBGA
- 14-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 14-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 15-SIP、露出ボトムパッド、成形リード
- 16-VDFN露出パッド
- 16-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 16ピンTSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
- 16-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 19-PowerDIPモジュール
- 20-TSSOP（0.173インチ、4.40mm幅）露出パッド
- 20-PowerSOIC（0.433インチ、11.00mm幅）
- 22-PowerTFDFN
- 24-BESOP(0.906インチ、23.00mm幅)21リ-ド、露出ボトムパッド
- 24-PowerSMD、22リード
- 30-XFBGA
- 56ピンVFQFN露出ボトムパッド
- M174
- M177
- STAC177B
- 211-11、スタイル2
- 211-07
- M243
- M244
- STAC244B
- STAC244F
- ISOPLUS247™
- MAX247
- 249-06
- M250
- ISOPLUS264™
- STAC265B
- 305A-01
- 319-07
- 333-04
- 368-03
- 375-04
- 0402(1006メトリック)
- 412-01
- DE475
- 511AB
- 744A-01
- OM780-4
- PowerPAK®0806
- PowerPAK1212-8
- PowerPAK®1212-8
- PowerPAK®1212-8S
- PowerPAK®1212-8SH
- PowerPAK®1212-8W
- PowerPAK®1212-8デュアル
- DFN2020-8
- DFN2020-8D
- U-DFN2020-6
- HSML3030L10
- PowerDI3333-8
- 440095
- 440109
- 440117
- 440162
- 440166
- 440193
- 440196
- 440199
- 440206
- 440210
- 440217
- 440223
- *
- DPAK
- DirectFET™IsometricME
- DirectFET™アイソメトリックMF
- DirectFET™アイソメトリックMT
- DirectFET™アイソメトリックMX
- DirectFET™アイソメトリックMZ
- DirectFET™アイソメトリックSB
- DirectFET™アイソメトリックSQ
- DirectFET™アイソメトリックST
- ISOTOP
- LPTL ハイパワーパッケージ
- PolarPak
- PowerPAK?CHIPFET?シングル
- PowerPAK?CHIPFET?デュアル
- PowerPAK®CHIPFET™シングル
- PowerPAK®CHIPFET™デュアル
- ダイ
- モジュ-ル
- モジュール
-
種別
-
シリーズ
- OptiMOS™-5
- IXTP1R4N100
- IXTA1R4N120
- IXTA1R6N50
- IXTP1R6N100
- IXTP1N80
- IXTU01N100
- IXTP1N120
- RS1E240GN
- IXTF1N250
- IXTH1N250
- MMIX1F420N10
- MMIX1T550N055
- C2M™
- GigaMOS™、HiPerFET™、TrenchT2™
- GigaMOS™、HiperFET™、TrenchT2™
- GigaMOS™、TrenchT2™
- HiPerFET?、PolarP2?
- HiPerFET™、PolarP2™
- HiPerFET™、TrenchT2™
- LinearL2™
- MDmesh?M2
- MDmesh™DM2
- MDmesh™M2
- MDmesh™M2-EP
- PolarP2??
- PolarP2™
- TrenchT2??
- TrenchT2™
- IXTA2R4N120
- IXTP2R4N120
- IXTP02N50
- IXTP2N100
- IXTY2N100
- IXTP02N120
- 2N7002
- C3M™
- HiPerFET™、Polar3™
- HiperFET™、TrenchT3™
- OptiMOS™3
- STripFET?F3
- SuperFREDmesh3
- SuperMESH3
- ZXMC3
- ZXMN3A
- ZXMN3A0
- STD3NK90Z
- IXTA3N100
- IXTP3N100
- IXTH3N120
- IXTH3N150
- TrenchT4™
- ZXMN4A
- IXFP4N60
- IXTP4N80
- IXFA4N100
- RF4E110GN
- IXTH4N150
- MDmesh?K5
- MDmeshK5
- MDmeshM5
- MDmesh™DK5
- MDmesh™K5
- MDmesh™M5
- SuperMESH5
- SuperMESH5™
- DMN5L06
- IXFP5N50
- IXTY5N50
- TK5A60D
- IXFP5N100
- IXTP05N100
- IXTN5N250
- CoolMOS?P6
- CoolMOS™C6
- CoolMOS™P6
- DeepGATE?、STripFET?H6
- MDmesh™DM6
- MDmesh™M6
- STripFET?F6
- STripFET?H6
- STripFET™F6
- ZXMN6
- ZXMN6A
- ZXMS6
- VT6M1
- ZXMN6A07
- IXFH6N120
- IXTP06N120
- CoolMOS?C7
- CoolMOS™C7
- CoolMOS™CFD7
- CoolMOS™G7
- CoolMOS™P7
- POWERMOS7?
- POWERMOS7®
- STripFET?F7
- STripFET?H7
- STripFET™F7
- ZXMN7A11
- TK7A50D
- IXFA7N80P
- IXFP7N80
- IXFA7N100
- IXFP7N100
- POWERMOS8™
- IXTA08N100
- IXTP08N100
- IXTA08N120
- IXTN8N150
- DMN10
- ZXMP10A
- IXTP10N60
- IXTT10P60
- IXFA10N80P
- IXFH10N80P
- IXFP10N80
- IXFH10N100P
- DMP10H400
- IXFA12N50P
- IXTA12N50P
- IXTP12N50P
- IXFH12N90
- IXFH12N100P
- IXTH12N100
- IXFH12N120
- IXTH12N150
- IXTT12N150
- DMN13
- IXFA14N60P
- IXFH14N60
- IXTA14N60
- IXTP14N60
- IXTQ14N60
- IXFH14N80
- FMD15-06KC5
- IXFH15N100P
- IXFR15N100
- IXFT15N100
- IXTH16N10D2
- IXFA16N50P
- IXTA16N50
- IXTT16N50
- IXTH16N50D2
- IXFH16N80
- IXFT16N120
- IXTK17N120
- IXTN17N120
- IXTY18P10
- IXFH18N60
- IXFR18N90
- IXFH20N50
- IXFQ20N50
- IXTT20N50
- IXFH20N80
- IXFT20N80
- IXFH20N100
- IXFR20N100
- IXFX20N120
- IXTX20N150
- DMP22
- FMM22-06PF
- FMM22-05PF
- IXTH22N50
- IXFH22N60
- IXFQ22N60
- IXTK22N100
- IXKC23N60
- IXTH24N50
- IXKH24N60
- IXKP24N60
- IXFX24N100
- IXTX24N100
- DMN25
- IPD025N06
- IXTY26P10
- IXTQ26P20
- IXFP26N50
- IXFR26N100
- IXFR26N120
- IXFX26N120
- IXFX27N80
- IXFQ28N60
- DMN30
- IXFH30N50
- IXFT30N50
- IXTQ30N50
- IXTT30N50
- IXFH30N60
- IXKH30N60
- IXTQ30N60
- IXFB30N120P
- DMC31
- DMN31
- IXTY32P05
- IXTA32N20
- IXTA32P20
- IXTP32P20
- IXFK32N80
- IXFN32N80
- IXFR32N80
- IXFX32N90
- IXFK32N100
- IXFN32N100
- IXFR32N100
- IXFN32N120
- IXFN32N1003
- DMN33
- IXFH34N50
- NTB35N15
- IXTH36P15
- IXFR36N50
- IXFK36N60
- IXFT36N60
- FMD40-06KC
- IXKF40N60
- IXKN40N60
- IXKR40N60
- IXFK40N90
- XPP041N12
- IXTP42N25
- IXTQ42N25
- DMN44
- IXFR44N50
- IXFT44N50
- IXTQ44N50
- IXFR44N60
- IXFN44N80
- IXFR44N80
- IXFN44N100
- IXKN45N80
- IXTK46N50L
- LKK47
- FDM47-06KC5
- FMD47-06KC5
- IXTY48P05
- DMT50
- FMM50-025TF
- XPD50P04
- IPD50N06
- IXFT50N20
- IXTA50N20
- IXTP50N20
- IXTQ50N20
- IXTA50N25
- IXTQ50N25
- IXFT50N30
- IXFH50N50
- IXFQ50N50
- IXTH52P10
- DMB53D
- DMN53
- SI59xxxDx
- DMN60
- DMP60
- LN60A01
- IXTH60N20
- IXTP60N20
- IXTQ60N20
- IXTT60N20
- IXFT60N50
- IXFL60N80
- DMN61
- ZXM61N
- DMN62
- IXTA62N15
- IXTP62N15
- IXTN62N50
- IXFN62N80
- DMN63
- IXFK64N50
- IXFR64N50
- IXFR64N60
- XPB65R225
- IXFH69N30
- IXTQ69N30
- IXTT69N30
- IXFT70N20
- IXFH70N30
- IXFT70N30
- IXKT70N60
- IXTT74N20
- FMM75-01F
- IXTA75N10
- IXTH75N10
- IXTQ75N10
- IXTT75N10
- IXFP76N15
- IXTA76N25
- IXTP76N25
- IXTH80N20
- IXTT80N20
- IXFN80N50
- IXFX80N50
- IXFN80N60
- IXTK82N25
- IXTQ82N25
- IXFB82N60
- IXFL82N60
- IXFB82N60Q3
- BSS84
- IXTP86N20
- IXFH86N30
- IXFT86N30
- IXFH88N30
- IXFK88N30
- IXFT88N30
- IXTT88N30
- IXFN90N30
- IXFH94N30
- IXFT94N30
- IXFH96N15
- IXTQ96N15
- IXFH96N20
- IXFT96N20
- IXTQ96N20
- 車載用、AEC-Q100、NexFET?
- IXTQ100N25
- IXTT100N25
- IXFB100N50
- IXFL100N50
- AEC-Q101
- AEC-Q101、CoolMOS™
- AEC-Q101、DeepGATE™、STripFET™VII
- AEC-Q101、FDmesh™II
- AEC-Q101、HEXFET®
- AEC-Q101、MDmesh™
- AEC-Q101、MDmesh™V
- AEC-Q101、OptiMOS™
- AEC-Q101、PowerTrench®
- AEC-Q101、QFET®
- AEC-Q101、SIPMOS®
- AEC-Q101、STripFET™
- AEC-Q101、STripFET™II
- AEC-Q101、SuperFET®II
- AEC-Q101、SuperFET™
- AEC-Q101、TrenchFET®
- AEC-Q101、TrenchMOS™
- AEC-Q101、UltraFET™
- AEC-Q101、eGaN®
- AEC-Q101、MDmesh™DM2
- AEC-Q101、MDmesh™M2
- AEC-Q101、STripFET™F3
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F3
- AEC-Q101、STripFET™H5
- AEC-Q101、STripFET™F6
- AEC-Q101、STripFET™H6
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F6
- AEC-Q101、STripFET™F7
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F7
- IXFP102N15
- IXTP102N15
- IXFK102N30
- IXFN102N30
- IXFH110N10P
- IXTQ110N10
- IXTT110N10
- IXFA110N15
- IXTN110N20
- IXTX110N20
- IXFH120N15P
- IXTT120N15
- IXFH120N20P
- IXTK120P20
- IXTN120P20
- IXTQ120N20
- IXTX120P20
- IXFH120N25T
- IXFK120N25
- IXFX120N25
- IXFK120N30
- IXFX120N30
- IXTA120P065
- IXTH120P065
- IXTP120P065
- IXFP130N10
- IXTH140P05
- IXFH140N10
- IXFT140N10
- IXTH140P10
- IXTT140P10
- IXFH150N15
- IXTK150N15
- IXTQ150N15
- IXFH150N17
- IXFK150N30
- IXFX150N30
- IXTA160N04
- IXFH160N15
- BS170F
- IXFH170N10
- IXFK170N10
- IXTQ170N10
- IXTX170P10
- IXFK170N20
- IXFX170N20
- IXFB170N30
- IXFN170N30
- IXTP170N075
- IXFA180N10
- IXFK180N15
- IXFR180N15
- IXFR200N10
- IXFX200N10
- IXTN200N10
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- DMS208
- IXTK210P10
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- BSD235
- IXTH260N055
- IXTP260N055
- BSP296
- BSP298
- IXFN300N10
- BSS306
- IXFT320N10
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- IXFK360N10
- IXTH360N055
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- IXFK420N10
- IXFN420N10
- IXFX420N10
- IXTH450
- IXTH460
- IXTP460
- IXTH500N04
- IXFK520N075
- IXFX520N075
- IXTZ550N055
- ZXMS600
- DMN1025
- DMP1045
- DMC1229
- DMC2004
- DMP2004
- DMN2005
- DMP2006
- DMP2022
- DMN2029
- DMP2047
- ZVN2106
- ZVN2110
- ZVP2110
- DMC2700
- DMN2990
- DMN3010
- DMN3024
- DMC3028
- DMN3030
- DMN3033
- DMP3056
- DMP3098
- NTNS3164NZ
- ZVN3310
- CPC3710
- CPH3910
- DMHC4035
- ZVN4206
- ZVN4210
- ZVN4424
- ZVP4424
- EFC4615R
- DMG4712
- DMG4800
- NVTFS4824N
- NTD4965N
- NTHS5404
- ZXMS6003
- DMP6050
- DMN6140
- DMG6402
- DMG6968
- CSD17310Q5A
- CSD17578Q3A
- CSD17579Q3A
- CSD18532Q5B
- CSD19533Q5A
- -
- *
- AlphaMOS
- AlphaSGT™
- CoolGaN™
- CoolMOS??
- CoolMOS?CE
- CoolMOS™
- CoolMOS™CE
- CoolMOS™CE
- CoolSiC™
- DE
- DTMOSIV
- DTMOSV
- DeepGATE?、STripFET?VI
- DeepGATE?、STripFET?VII
- DeepGATE™、STripFET™VII
- DeepGATE、STripFET
- DeepGATE、STripFETVI
- DeepGATE、STripFETVII
- DualCool™、PowerTrench®
- DualCool™、PowerTrench®、SyncFET™
- E
- EF
- EL
- EPAD®
- EPAD®、ZeroThreshold™
- FDmesh
- FDmesh??II
- FDmesh?IIPlus
- FDmesh™
- FETKY™
- FRFET®
- FRFET®、QFET™
- FRFET®、SuperFET®II
- FRFET®、UniFET™
- FemtoFET
- FemtoFET™
- GaN
- GigaMOS™
- GigaMOS™HiPerFET™
- GreenBridge™PowerTrench®
- HEXFET®
- HEXFET®、StrongIRFET™
- HTMOS™
- HiPerFET??
- HiPerFET™
- HiPerFET™、PolarHT™
- HiPerFET™、PolarHV™
- HiPerFET™、Polar™
- HiPerRF™
- LITTLEFOOT®
- MDmesh
- MDmesh?II
- MDmesh?IIPlus
- MDmesh?V
- MDmeshII
- MDmeshIIPlus
- MDmeshV
- MDmesh™
- MDmesh™II
- MDmesh™IIPlus
- MDmesh™V
- MESHOVERLAY
- MESHOVERLAY??
- MESHOVERLAY?II
- MESHOVERLAY?III
- MESHOVERLAY™
- Mdmesh??V
- MdmeshII
- MdmeshV
- MegaMOS™
- N-channelMDmesh
- N-channelSTripFET
- NexFET
- NexFET™
- OptiMOS??
- OptiMOS™
- OptimWatt??
- OptimWatt™
- POWERMOSV®
- PolarHT™
- PolarHT™HiPerFET™
- PolarHV™
- PolarP™
- PolarVHV™
- Polar™
- PowerMESH
- PowerMESHII
- PowerMESH™
- PowerPAIR®、TrenchFET®
- PowerTrench®
- PowerTrench®、SyncFET™
- QFET®
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- SIPMOS®
- SIPMOS™
- SIRxxxDP
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- SISxxxDN
- SPM®
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- SRFET??
- SRFET™
- STripFET
- STripFET??II
- STripFET??III
- STripFET??V
- STripFETII
- STripFETIII
- STripFETV
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- STripFET™
- STripFET™II
- STripFET™III
- STripFET™V
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- SuperFET®II
- SuperFET®III
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- SuperMESH™
- SuperMOS™
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- ThunderFET®
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- TrenchFET®
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- TrenchP™
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- U-MOSVI
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- UltraFASTmesh™
- UltraFET™
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- UniFET™
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- Z-REC™
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- eGaN®
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- µCool™
- π-MOSIV
- π-MOSV
- π-MOSVI
-
FETタイプ
- 2 N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2 N-チャンネル（デュアル）非対称
- 2 Nチャンネル（デュアル）
- 2 Pチャンネル（デュアル）
- 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン
- 2N-チャンネル(デュアル)非対称
- 2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2N-チャンネル（デュアル）非対称
- 2Nチャネル
- 2Nチャンネル
- 2Nチャンネル(デュアル)
- 2Nチャンネル(デュアルバックチョッパ)
- 2Nチャンネル（デュアル）
- 2Nチャンネル（デュアル）整合ペア
- 2P-チャンネル(デュアル)コモンドレイン
- 2P-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2Pチャンネル
- 2Pチャンネル(デュアル)
- 2Pチャンネル(デュアル)コモンソ-ス
- 2Pチャンネルル（デュアル）整合ペア
- 2Pチャンネル（デュアル）
- LDMOS（2個）
- Nチャネル(デュアル)コモンソ-ス×2
- Nチャネル（デュアル）コモンソース×2
- Nチャンネル2個(ハ-フブリッジ)
- Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
- 2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア
- Nチャンネル2個およびPチャンネル2個(Hブリッジ)
- Nチャンネル2個およびPチャンネル2個（Hブリッジ）
- 3N-Channel(HalfBridge+SynchronousBootstrap)
- 3Nチャンネル(位相レッグ+昇圧チョッパ)
- 3Nチャンネル（ハーフブリッジ+同期式ブートストラップ）
- 3Nおよび3Pチャネル（3相ブリッジ）
- 4Nチャンネル、整合ペア
- 4Nチャンネル（ハーフブリッジ）
- 4Pチャンネル、整合ペア
- Nチャンネル4個
- Nチャンネル4個(Hブリッジ)
- Nチャンネル4個（Hブリッジ）
- 5Nチャンネル、コモンソース
- 5Nチャンネル（ソーラーインバータ）
- 5Pチャンネル、コモンソース
- 6Nチャンネル(3相ブリッジ)
- 6Nチャンネル（3相ブリッジ）
- 6Nおよび6Pチャンネル
- Nチャンネル8個、共通ゲート、コモンソース
- Complementary
- Dual
- DualCommonSource
- DualDualDrain
- GaNFETNチャンネル、窒化ガリウム
- HEMT
- LDMOS
- MOSFET Nチャンネル
- MOSFET Nチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFET Nチャンネル、ショットキー、酸化金属
- MOSFET Nチャンネル、酸化金属
- MOSFET Pチャンネル
- MOSFET Pチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFET Pチャンネル、酸化金属
- MOSFETNチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFETNチャンネル、酸化金属
- MOSFETPチャンネル、ショットキー、酸化金属
- MOSFETPチャンネル、酸化金属
- NおよびPチャンネル
- NおよびPチャンネル、コモンドレイン
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- Nチャンネル
- NチャンネルJFET
- Nチャンネルデュアルゲート
- Pチャンネル
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- SingleDualSource
- SingleHexDrain
- SingleQuadDrain
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- SingleQuadDrainTripleSource
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- SingleQuintSource
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 40 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 40 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8.2 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 35 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 239円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 60 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 67 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 172円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 90 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 90 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8.2 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 126 W
・標準ターンオン遅延時間 = 35 ns通常価格(税別) ： 240円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 120 V, 42 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 42 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 35 W
・動作温度 Max = +150℃- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 172円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 120 V, 88 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 88 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 140 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 172円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 80 V, 46 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 46 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8.4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 35 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 200円 通常出荷日 ： 1日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 80 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 80 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8.4 Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 103 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 133円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 650 V, 49 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 49 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 55 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 400 W
・幅 = 5.02mm通常価格(税別) ： 1,386円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 49.2 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 49.2 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 57 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 400 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 1,789円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 120 V, 112 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 112 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7.5 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 45 W
・幅 = 4.5mm- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 257円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 120 V, 112 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 112 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 168 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 145円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 500 V, 5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 5 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5 Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 35 W @ 25℃
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 84円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 52 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 52 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 30 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 263円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 100 V, 52 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 52 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 72 W
・寸法 = 10.16 x 4.45 x 15.1mm通常価格(税別) ： 137円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 25 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 45 W
・動作温度 Max = +150℃通常価格(税別) ： 552円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 25 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 180 W
・標準ターンオフ遅延時間 = 90 ns通常価格(税別) ： 397円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 25 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 140 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 180 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 563円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 25 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 25 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 180 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 662円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 25 A, 4 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 25 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 125 mΩ
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 4
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = ハイスピードスイッチング
・最大パワー消費 = 180 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 540円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 27.6 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 45 W
・トランジスタ素材 = Si通常価格(税別) ： 567円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 650 V, 27 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 27 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 110 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 230 W
・幅 = 5.02mm通常価格(税別) ： 637円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 27.6 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 27.6 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 230 W
・トランジスタ素材 = Si通常価格(税別) ： 714円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 60 V, 43 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 43 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 15 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 53 W
・トランジスタ素材 = Si通常価格(税別) ： 110円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 30 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = +20 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 260 W @ 25℃
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 520円 通常出荷日 ： 1日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 31 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 45 W
・トランジスタ素材 = Si- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 709円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 30.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 30.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 230 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 725円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 31 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 99 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 230 W
・標準ターンオン遅延時間 = 120 ns通常価格(税別) ： 740円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 31 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 230 W
・幅 = 5.02mm通常価格(税別) ： 710円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 30.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 30.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 230 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 3000 pF @ 300 V- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 863円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 30.8 A, 4 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 30.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 4
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = ハイスピードスイッチング
・最大パワー消費 = 230 W
・寸法 = 15.94 x 5.02 x 20.95mm通常価格(税別) ： 733円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 120 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 60 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 120 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.8 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 30 W
・幅 = 4.5mm通常価格(税別) ： 172円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 200 V, 15 A, 3 ピン パッケージSC-67
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 180 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SC-67
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 35 W
・標準ターンオフ遅延時間 = 120 ns通常価格(税別) ： 258円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 40 W
・トランジスタ素材 = Si- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 372円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 130 W
・トランジスタ素材 = Si- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 236円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 130 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 229円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-3PN DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 130 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 1350 pF @ 300 V- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 543円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3+Tab ピン パッケージTO-3P DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3P
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3+Tab
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 130 W
・標準ターンオン遅延時間 = 75 ns通常価格(税別) ： 641円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 130 W
・動作温度 Max = +150℃通常価格(税別) ： 395円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 15.8 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 130 W
・標準ターンオフ遅延時間 = 100 ns- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 357円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 650 V, 17 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 17 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 45 W
・幅 = 4.5mm通常価格(税別) ： 294円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 17.3 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 17.3 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 230 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 45 W
・動作温度 Max = +150℃通常価格(税別) ： 299円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 800 V, 17 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 17 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 800 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 290 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 45 W
・幅 = 4.5mm通常価格(税別) ： 916円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 17 A, 3 ピン パッケージTO-220 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 17 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 MΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 165 W
・標準ターンオフ遅延時間 = 100 ns通常価格(税別) ： 248円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 500 V, 18.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 18.5 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 190 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 40 W
・順方向ダイオード電圧 = 1.7V通常価格(税別) ： 378円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 45 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 401円 通常出荷日 ： 2日目
| メーカー |
|---|
| シリーズ名 |
| 通常価格 (税別) |
| 通常出荷日 |
| デバイスパッケージ |
| 種別 |
| シリーズ |
| FETタイプ |
| トランジスタタイプ |
| 実装タイプ |
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