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- PowerPak-1212-8
- SOT-1210、8-LFPAK33
- SOT-1210、8-LFPAK33（5リード）
- SOT-1205、8-LFPAK56
- SOT-1123
- SOT-979A
- SOT-963
- SOT-963-6
- SOT-957A
- NI-780
- NI-780S
- NI-780-4
- NI-780S-4L
- OM-780-4L
- OM-780-2
- SOT-723
- SOT-665
- NI-650H-4L
- SOT-563
- SOT-563、SOT-666
- SOT-563-6
- SOT-553
- SOT-523
- SOT-523-3
- DE-475-6
- NI-400S-2S
- SOT-363-6
- NI-360
- NI-360H-2SB
- SOT-323-3
- TO-274AA
- TO-272AA
- TO-272BA
- TO-272BB
- TO-272BC
- TO-272-16可変、フラットリード
- TO-272-8
- TO-271AA
- TO-270AA
- TO-270AB
- TO-270BA
- TO-270BB
- TO-270-17可変、フラットリード
- TO-270-14可変、フラットリード
- TO-270-4
- TO-270-2
- TO-270-2ガルウィング
- TO-268-3、D³Pak(2リ-ド+タブ)、TO-268AA
- TO-268-3、D³Pak（2リード+タブ）、TO-268AA
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- TO-263-8、D²Pak（7リード+タブ）、TO-263CA
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- TO-262-3、長リ-ド線、IPak、TO-262AA
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- TO-262-3長リード線、I²Pak、TO-262AA
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- TO-252-3、DPak（2リード + タブ）、SC-63
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- TO-251-3スタブリード、IPak
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- TO-251-3短リ-ド線、IPak、TO-251AA
- TO-251-3短リード線、IPak、TO-251AA
- TO-251-3長リ-ド線、IPak、TO-251AB
- TO-251-3長リード線、IPak、TO-251AB
- TO-247-4
- PLUS-247-3
- TO-247-3
- TO-247-3可変
- TO-247AC-3
- TO-247C-3
- TO-247-2
- P-244
- TO-243AA
- TO-236AB
- TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
- SOT-227-4
- SOT-227-4、miniBLOC
- TO-226-3、TO-92-3ロングボディ（形成リード）
- TO-226-3、TO-92-3標準本体
- TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形リ-ド
- TO-226-3、TO-92-3標準本体
- TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
- TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード
- TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成形フォームドリード）
- SOT-223-8
- SOT-223-4
- SOT-223-3
- TO-220-5フルパッッケ-ジ
- Super-220™-3(ストレ-トリ-ド)
- TO-220-3
- TO-220-3フルパック、バリアント
- TO-220-3フルパック、成形リード
- TO-220-3フルパック、絶縁タブ
- TO-220-3フルパッケ-ジ
- TO-220-3フルパッッケ-ジ
- TO-220-3フルパッッケージ
- TO-220-3成形フォ-ムドリ-ド
- TO-220-3絶縁タブ
- TO-220-2フルパッッケージ
- TO-206AF、TO-72-4金属缶
- TO-206AA、TO-18-3金属缶
- TO-205AD、TO-39-3金属缶
- SOT-143R
- SC-101、SOT-883
- SC-100、SOT-669
- SC-100、SOT-669、4-LFPAK
- SC-96
- SC-95-6
- SC-94
- TO-92-3
- SC-89、SOT-490
- SOT-89, TO-243
- SOT-89-3
- SC-88, SC-70-6, SOT-363
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- SC-85
- SC-83
- SC-82A、SOT-343
- SC-81
- SC-75A
- SC-75、SOT-416
- PowerPAKSC-75-6Lデュアル
- PowerPAK®SC-75-6L
- PowerPAK®SC-75-6Lデュアル
- SC-74A、SOT-753
- SC-74、SOT-457
- SC-74, SOT-26, SOT-457
- SC-70、SOT-323
- PowerPAK?SC-70-6
- PowerPAKSC-70-6デュアル
- PowerPAK®SC-70-6
- PowerPAK®SC-70-6デュアル
- SC-70-6
- SC-70-3
- SC-67-3
- SC-63,TO-252,SOT-428, DPAK
- SC-62-3
- SC-61AA
- TO-46-3
- PMCP-32x2
- PMCP-31.8x1.6
- SOT-26-6
- SMPD-24
- SOT-23
- SOT-23-6
- TSOT-23-6
- SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
- SOT-23-5薄型、TSOT-23-5
- SOT-23-3
- SOT-23-3フラットリ-ド
- SOT-23-3フラットリード
- SOT-23-3（TO-236）
- PQFN-18
- PowerSO-10露出ボトムパッド
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド(2ストレ-トリ-ド)
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド(2成形リ-ド)
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド（2成形リード）
- ChipFET-8
- DPQFN-8
- HSO-8
- HSOF-8
- HSOP-8
- HSSO-8
- MSOP-8
- PQFN-8
- PowerFLAT-8
- PowerPAKSO-8
- PowerPAK®SO-8
- PowerPAK®SO-8デュアル
- SM-8
- SO-8
- SOIC-8
- SOIC-Narrow-8
- SOP-8
- TSON-8
- VSON-FET-8
- WDFN-8
- WMini-8-F1
- WSMini-8-F1-B
- DFN-6
- DPQFN-6
- DirectFET-6
- PQFN-6
- TSOP-6
- UDFN-6
- WSMini-6-F1-B
- WSSMini-6-F1
- SMini-6-F3-B
- SSMini-6-F3-B
- DirectFET-5
- WLCSP-4
- D-3モジュ-ル
- D-PAK-3
- DPAK-3
- DirectFET-3
- E-Line-3
- IPAK-3
- TO-3PF
- TO-3PL
- TO-3PSG
- UFM-3
- TO-3PFM、SC-93-3
- TO-3P-3
- TO-3P-3フルパッッケ-ジ
- TO-3P-3フルパッッケージ
- TO-3P-3、SC-65-3
- TO-3P-3、SC-65-3（形成済みリード）
- SMini-3-G1-B
- SMini-3-F2-B
- SSSMini-3-F2-B
- SSMini-3-F3-B
- PLD-1.5
- PLD-1.5W
- PLD-1.5W-2
- T-1
- DirectFET™アイソメトリックS1
- F1モジュール
- SP1
- U-G1
- X1-DFN1006-2
- X1-DFN1212-3
- 2-SMD、ノーリード、露出パッド
- 2ピンSMD
- ATPAK(2リ-ド+タブ)
- ATPAK（2リード+タブ）
- DirectFET™アイソメトリックM2
- U-G2
- D2PAK-7
- D2PAK-3
- I2PAK-3
- X2-DFN0606-3
- X2-DFN1006-3
- 3-SMD、フラットリード
- 3-SMD、リードなし
- 3-UDFN
- 3-UFDFN
- 3-WDSON
- 3-XDFN
- 3-XDFN露出パッド
- 3-XFDFN
- 3-XFLGA
- 3ピンCP
- 3ピンCPH
- 3ピンSMD、フラットリ-ド
- 3ピンSMD、フラットリード
- 3ピンSMD、リ-ドなし
- 3ピンSMD、リードなし
- 3ピンUSFP
- 3ピンVTFP
- 3ピンWDSON
- 3ピンXDFN露出ボトムパッド
- 3ピンXFDFN
- 3ピンXFLGA
- SP3
- Y3-Li
- CPH3, SC-59, SOT-23, TO-236
- XDFN3-3
- 4-Micro-X
- 4-PowerFlat™HV
- 4-PowerTSFN
- 4-SMD、フラットリード
- 4-SMD、リードなし
- 4-UFBGA
- 4-UFBGA、CSPBGA
- 4-UFBGA、DSBGA
- 4-UFBGA、FCBGA
- 4-UFBGA、WLBGA
- 4-UFBGA、WLCSP
- 4-VSFN露出パッド
- 4-VSFN露出ボトムパッド
- 4-XDFN
- 4-XFBGA
- 4-XFBGA、CSPBGA
- 4-XFBGA、WLBGA
- 4-XFBGA、WLCSP
- 4-XFDFN
- 4-XFLGA
- 4-XFLGA、CSP
- 4ピンPowerFlat?HV
- 4ピンPowerFlatHV
- 4ピンSIP
- 4ピンSMD
- 4ピンSMD、リ-ドなし
- 4ピンTSFN、露出ボトムパッド
- 4ピンTSFN露出パッド
- 4ピンUFBGA、DSBGA
- 4ピンUFBGA、WLCSP
- 4ピンVSFN露出ボトムパッド
- 4ピンXFBGA
- 4ピンXFBGA、CSPBGA
- DirectFET™アイソメトリックM4
- SP4
- ダイ外径(4-はんだ棒)
- ISOPLUS-i4-5
- i4-Pac™-5
- i4-Pac™-5(3リ-ド)
- i4-Pac™-5（3リード）
- ISOPLUS-i4-3
- 4-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 4ピンEFCP（1.61x1.61）
- 4ピンXBGA、4ピンFCBGA
- 5ピンCPH
- 5ピンLGA
- 5ピンMCPH
- 5ピンXFLGA
- ISOPLUSi5-Pak™
- ダイ外径(5-はんだ棒)
- 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353
- 6-MICROFOOT™
- 6-PowerPair™
- 6-PowerUDFN
- 6-PowerUFDFN
- 6-PowerVDFN
- 6-PowerWDFN
- 6-PowerXDFN
- 6-SMD、フラットリード
- 6-SMD、フラットリード露出パッド
- 6-SMD、リードなし
- 6-UDFN露出パッド
- 6-UDFN露出ボトムパッド
- 6-UFBGA
- 6-UFBGA、DSBGA
- 6-UFBGA、WLBGA
- 6-UFBGA、WLCSP
- 6-UFDFN
- 6-UFDFN露出パッド
- 6-UFDFN露出ボトムパッド
- 6-VDFN露出パッド
- 6-VFBGA、WLBGA
- 6-VQFN
- 6-WDFN露出パッド
- 6-WFDFN露出パッド
- 6-XFBGA
- 6-XFBGA、WLCSP
- 6-XFDFN
- 6-XFDFN露出パッド
- 6-XFDFN露出ボトムパッド
- 6-XFLGA
- 6-パワ-VDFN
- 6ピンCPH
- 6ピンCSP
- 6ピンMCPH
- 6ピンPowerWDFN
- 6ピンSCH
- 6ピンSMD、フラットリ-ド
- 6ピンSMD、フラットリード
- 6ピンUDFN露出ボトムパッド
- 6ピンUFBGA、DSBGA
- 6ピンUFDFN露出ボトムパッド
- 6ピンVDFN露出ボトムパッド
- 6ピンWDFN露出パッド
- 6ピンXFBGA
- 6ピンXFDFN露出ボトムパッド
- DirectFET™アイソメトリックL6
- SP6
- ダイ外径(6-はんだ棒)
- 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 6-VSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンTSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンVSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンUDFN（1.6x1.6）
- 6ピンEFCP（1.9x1.46）
- 6ピンUDFN（2x2）
- 6ピンWDFN（2x2）
- 6ピンEFCP（2.7x1.81）
- 6-SMD（5リード）、フラットリード
- 6-MLP、Power33
- ダイ外径(7-はんだ棒)
- 8-PowerLDFN
- 8-PowerPak®CHIPFET™
- 8-PowerSFN
- 8-PowerSMD、フラットリ-ド
- 8-PowerSMD、フラットリード
- 8-PowerTDFN
- 8-PowerUDFN
- 8-PowerVDFN
- 8-PowerWDFN
- 8-SMD、ガルウィング
- 8-SMD、フラットリ-ド
- 8-SMD、フラットリード
- 8-SMD、フラットリード露出パッド
- 8-TDFN露出パッド
- 8-TQFN露出ボトムパッド
- 8-UDFN露出ボトムパッド
- 8-VDFN露出パッド
- 8-VDFN露出ボトムパッド
- 8-VQFN露出ボトムパッド
- 8-WDFN露出パッド
- 8-WDFN露出ボトムパッド
- 8-パワ-TDFN
- 8-パワ-VDFN
- 8-パワ-VQFN
- 8FL)
- 8ピンECH
- 8ピンEMH
- 8ピンLDFN露出ボトムパッド
- 8ピンLPCC
- 8ピンPowerPak?CHIPFET?
- 8ピンPowerSFN
- 8ピンPowerSMD、フラットリ-ド
- 8ピンPowerWDFN
- 8ピンSMD、フラットリ-ド
- 8ピンSMD、フラットリ-ド露出パッド
- 8ピンSMD、フラットリード
- 8ピンSOIC
- 8ピンSOIC N
- 8ピンTDFN
- 8ピンTDFN露出ボトムパッド
- 8ピンVDFN
- 8ピンVDFN露出ボトムパッド
- 8ピンVSON露出ボトムパッド
- 8ピンWDFN露出ボトムパッド
- 8ピンWFDFN露出ボトムパッド
- 8ピンパワ-TDFN
- 8ピンパワ-VDFN
- 8ピンパワーTDFN
- 8ピンパワーVDFN
- DirectFET™アイソメトリックL8
- SO−8 FLAT LEAD
- SO−8FL
- WDFN8
- EMH8-8
- 8-TSOP（0.130インチ、3.30mm幅）
- 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
- 8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）露出パッド
- 8ピンSOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
- 8ピンSOIC(0.154インチ、3.90mm幅)露出ボトムパッド
- 8ピンSOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 8-SOIC（0.173インチ、4.40mm幅）
- 8-TSSOP（0.173インチ、4.40mm幅）
- 8ピンTSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
- 8-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- SO8-F1-B
- 8-PowerTDFN、5リード
- 8ピンPowerTDFN、5 リード
- 8ピンPowerTDFN、5リ-ド
- 8ピンDFN（5x6）デュアルフラグ（SO8FLデュアル非対称）
- PowerPAK®8x8デュアル
- 8-TSSOP、8-MSOP(0.118インチ、3.00mm幅)
- 8-TSSOP、8-MSOP（0.118インチ、3.00mm幅）
- 9-UFBGA、DSBGA
- 9-UFBGA、WLBGA
- 9-VFBGA
- 9ピンUFBGA、DSBGA
- 10-PolarPAK®（L）
- 10-PolarPAK®（S）
- 10-PowerSOPモジュール
- 10-SMD、リードなし
- 10-XFBGA
- 10ピンPolarPAK(L)
- 10ピンSMDモジュ-ル
- 10ピンXFBGA
- ダイ外径(11-はんだ棒)
- 12-PowerWDFN
- 12-SIP
- 12-SIP、露出ボトムパッド
- 12-UFQFN露出パッド
- 12-VFDFN露出パッド
- 12-WDFN露出パッド
- 12ピンUFBGA、DSBGA
- 14-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 14-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 15-SIP、露出ボトムパッド、成形リード
- 16-VDFN露出パッド
- 16-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 16ピンTSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
- 16-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 16-BESOP（0.790インチ、20.11mm幅）15リード、露出パッド
- 19-PowerDIPモジュール
- 20-TSSOP（0.173インチ、4.40mm幅）露出パッド
- 20-PowerSOIC（0.433インチ、11.00mm幅）
- 22-PowerTFDFN
- 24-BESOP(0.906インチ、23.00mm幅)21リ-ド、露出ボトムパッド
- 24-PowerSMD、22リード
- 30-XFBGA
- 56ピンVFQFN露出ボトムパッド
- M113
- M174
- M177
- STAC177B
- 211-11、スタイル2
- 211-07
- M243
- M244
- STAC244B
- STAC244F
- M246
- ISOPLUS247™
- MAX247
- 249-06
- M250
- ISOPLUS264™
- STAC265B
- 305A-01
- 319-07
- 333-04
- SOT−363
- 368-03
- 375-04
- 0402(1006メトリック)
- 412-01
- DE475
- 511AB
- 744A-01
- OM780-4
- PowerPAK®0806
- PowerPAK1212-8
- PowerPAK®1212-8
- PowerPAK®1212-8S
- PowerPAK®1212-8SH
- PowerPAK®1212-8W
- PowerPAK®1212-8デュアル
- DFN2020-8
- U-DFN2020-6
- PowerDI3333-8
- 440095
- 440109
- 440117
- 440162
- 440166
- 440193
- 440196
- 440199
- 440206
- 440210
- 440217
- 440223
- *
- DPAK
- DirectFET™IsometricMD
- DirectFET™IsometricME
- DirectFET™アイソメトリックMF
- DirectFET™アイソメトリックMT
- DirectFET™アイソメトリックMX
- DirectFET™アイソメトリックMZ
- DirectFET™アイソメトリックSB
- DirectFET™アイソメトリックSQ
- DirectFET™アイソメトリックST
- ISOTOP
- PolarPak
- PowerPAK?CHIPFET?シングル
- PowerPAK?CHIPFET?デュアル
- PowerPAK®CHIPFET™シングル
- PowerPAK®CHIPFET™デュアル
- ダイ
- モジュ-ル
- モジュール
-
- OptiMOS™-5
- IXTP1R4N100
- IXTA1R4N120
- IXTA1R6N50
- IXTP1R6N100
- IXTP1N80
- IXTU01N100
- IXTP1N120
- RS1E240GN
- IXTF1N250
- IXTH1N250
- MMIX1F420N10
- MMIX1T550N055
- C2M™
- GigaMOS™、HiPerFET™、TrenchT2™
- GigaMOS™、HiperFET™、TrenchT2™
- GigaMOS™、TrenchT2™
- HiPerFET?、PolarP2?
- HiPerFET™、PolarP2™
- HiPerFET™、TrenchT2™
- LinearL2™
- MDmesh?M2
- MDmesh™DM2
- MDmesh™M2
- MDmesh™M2-EP
- PolarP2??
- PolarP2™
- TrenchT2??
- TrenchT2™
- IXTP2R4N50
- IXTA2R4N120
- IXTP2R4N120
- IXTP02N50
- IXTP2N60
- IXTP2N100
- IXTY2N100
- IXTP02N120
- 2N7002
- C3M™
- HiPerFET™、Polar3™
- HiperFET™、TrenchT3™
- OptiMOS™3
- STripFET?F3
- SuperFREDmesh3
- SuperMESH3
- ZXMC3
- ZXMN3A
- ZXMN3A0
- IXTA3N50
- IXTA3N60
- IXTP3N60
- IXTY3N60
- STD3NK90Z
- IXTA3N100
- IXTP3N100
- IXTH3N120
- IXTH3N150
- TrenchT4™
- ZXMN4A
- IXFP4N60
- IXTP4N80
- IXFA4N100
- RF4E110GN
- IXTH4N150
- MDmesh?K5
- MDmeshK5
- MDmeshM5
- MDmesh™DK5
- MDmesh™K5
- MDmesh™M5
- SuperMESH5
- SuperMESH5™
- DMN5L06
- IXFP5N50
- IXTY5N50
- TK5A60D
- IXFP5N100
- IXTP05N100
- IXTN5N250
- CoolMOS?P6
- CoolMOS™C6
- CoolMOS™E6
- CoolMOS™P6
- DeepGATE?、STripFET?H6
- MDmesh™DM6
- MDmesh™M6
- STripFET?F6
- STripFET?H6
- STripFET™F6
- ZXMN6
- ZXMN6A
- ZXMS6
- VT6M1
- ZXMN6A07
- IXTA6N50
- IXFH6N120
- IXTP06N120
- CoolMOS?C7
- CoolMOS™C7
- CoolMOS™CFD7
- CoolMOS™G7
- CoolMOS™P7
- POWERMOS7?
- POWERMOS7®
- STripFET?F7
- STripFET?H7
- STripFET™F7
- STripFET™H7
- ZXMN7A11
- TK7A50D
- IXTP7N60
- IXFA7N80P
- IXFP7N80
- IXFA7N100
- IXFP7N100
- POWERMOS8™
- IXTP8N50
- IXTA08N100
- IXTP08N100
- IXTA08N120
- IXTN8N150
- DMN10
- ZXMP10A
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- IXFP10N80
- IXFH10N100P
- DMP10H400
- IXFA12N50P
- IXTA12N50P
- IXTP12N50P
- IXFH12N90
- IXFH12N100P
- IXTH12N100
- IXFH12N120
- IXTH12N150
- IXTT12N150
- DMN13
- IXFA14N60P
- IXFH14N60
- IXTA14N60
- IXTP14N60
- IXTQ14N60
- IXFH14N80
- FMD15-06KC5
- IXKC15N60
- IXFH15N100P
- IXFR15N100
- IXFT15N100
- IXTH16N10D2
- IXFA16N50P
- IXTA16N50
- IXTT16N50
- IXTH16N50D2
- IXFH16N80
- IXFT16N120
- IXTK17N120
- IXTN17N120
- IXTY18P10
- IXFH18N60
- IXFR18N90
- IXFH20N50
- IXFQ20N50
- IXTT20N50
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- IXFH20N80
- IXFT20N80
- IXFH20N100
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- IXFX20N120
- IXTX20N150
- DMP21
- FMD21-05QC
- DMP22
- FMM22-06PF
- FMM22-05PF
- IXTH22N50
- IXFH22N60
- IXFQ22N60
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- IXKC23N60
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- IXFX24N100
- IXTX24N100
- DMN25
- IPD025N06
- IXKC25N80
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- DMN30
- IXFH30N50
- IXFT30N50
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- IXFH30N60
- IXKH30N60
- IXTQ30N60
- IXFB30N120P
- DMC31
- DMN31
- IXTY32P05
- IXTA32N20
- IXTA32P20
- IXTP32P20
- IXFK32N80
- IXFN32N80
- IXFR32N80
- IXFX32N90
- IXFK32N100
- IXFN32N100
- IXFR32N100
- IXFN32N120
- IXFN32N1003
- DMN33
- IXFH34N50
- NTB35N15
- IXTH36P15
- IXFR36N50
- IXFK36N60
- IXFT36N60
- FMD40-06KC
- IXKC40N60
- IXKF40N60
- IXKN40N60
- IXKR40N60
- IXFK40N90
- XPP041N12
- IXTP42N25
- IXTQ42N25
- DMN44
- IXFR44N50
- IXFT44N50
- IXTQ44N50
- IXFR44N60
- IXFK44N80
- IXFN44N80
- IXFR44N80
- IXFN44N100
- IXKN45N80
- IXTK46N50L
- LKK47
- FDM47-06KC5
- FMD47-06KC5
- IXTY48P05
- DMT50
- FMM50-025TF
- XPD50P04
- IPD50N06
- IXFT50N20
- IXTA50N20
- IXTP50N20
- IXTQ50N20
- IXTA50N25
- IXTQ50N25
- IXFT50N30
- IXFH50N50
- IXFQ50N50
- IXTH52P10
- IXFH52N30
- DMB53D
- DMN53
- SI59xxxDx
- DMN60
- DMP60
- LN60A01
- IXTH60N20
- IXTP60N20
- IXTQ60N20
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- IXFT60N50
- IXFL60N80
- DMN61
- ZXM61N
- DMN62
- ZXM62N02
- IXTA62N15
- IXTP62N15
- IXTN62N50
- IXFN62N80
- DMN63
- IXFK64N50
- IXFR64N50
- IXFR64N60
- XPB65R225
- IXFH69N30
- IXTQ69N30
- IXTT69N30
- IXFT70N20
- IXFH70N30
- IXFT70N30
- IXKT70N60
- SI71xxDx
- IXTT74N20
- FMM75-01F
- IXTA75N10
- IXTH75N10
- IXTQ75N10
- IXTT75N10
- IXFP76N15
- IXTA76N25
- IXTP76N25
- IXTH80N20
- IXTT80N20
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- IXFX80N50
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- IXTK82N25
- IXTQ82N25
- IXFB82N60
- IXFL82N60
- IXFB82N60Q3
- BSS84
- IXTP86N20
- IXFH86N30
- IXFT86N30
- IXFH88N30
- IXFK88N30
- IXFT88N30
- IXTT88N30
- IXFN90N30
- IXFH94N30
- IXFT94N30
- IXFH96N15
- IXTQ96N15
- IXFH96N20
- IXFT96N20
- IXTQ96N20
- 車載用、AEC-Q100、NexFET?
- IXTQ100N25
- IXTT100N25
- IXFB100N50
- IXFL100N50
- AEC-Q101
- AEC-Q101、CoolMOS™
- AEC-Q101、DeepGATE™、STripFET™VII
- AEC-Q101、FDmesh™II
- AEC-Q101、HEXFET®
- AEC-Q101、MDmesh™
- AEC-Q101、MDmesh™V
- AEC-Q101、OptiMOS™
- AEC-Q101、PowerTrench®
- AEC-Q101、QFET®
- AEC-Q101、SIPMOS®
- AEC-Q101、STripFET™
- AEC-Q101、STripFET™II
- AEC-Q101、SuperFET®II
- AEC-Q101、SuperFET™
- AEC-Q101、TrenchFET®
- AEC-Q101、TrenchMOS™
- AEC-Q101、UltraFET™
- AEC-Q101、eGaN®
- AEC-Q101、MDmesh™DM2
- AEC-Q101、MDmesh™M2
- AEC-Q101、STripFET™F3
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F3
- AEC-Q101、STripFET™H5
- AEC-Q101、STripFET™F6
- AEC-Q101、STripFET™H6
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F6
- AEC-Q101、STripFET™F7
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F7
- IXFP102N15
- IXTP102N15
- IXFK102N30
- IXFN102N30
- IXFH110N10P
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- IXTX110N20
- IXFH120N15P
- IXTT120N15
- IXFH120N20P
- IXTK120P20
- IXTN120P20
- IXTQ120N20
- IXTX120P20
- IXFH120N25T
- IXFK120N25
- IXFX120N25
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- IXTA120P065
- IXTH120P065
- IXTP120P065
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- IXTP130N065
- IXTH140P05
- IXFH140N10
- IXFT140N10
- IXTH140P10
- IXTT140P10
- IXFH150N15
- IXTK150N15
- IXTQ150N15
- IXFH150N17
- IXFK150N30
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- IXTA160N04
- IXFH160N15
- BS170F
- IXFH170N10
- IXFK170N10
- IXTQ170N10
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- IXFK170N20
- IXFX170N20
- IXFB170N30
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- IXTP170N075
- IXFA180N10
- IXFK180N15
- IXFR180N15
- IXFR200N10
- IXFX200N10
- IXTN200N10
- IXTR200N10
- IXTX200N10
- DMS208
- IXTK210P10
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- IXFK220N17
- IXFR230N20
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- IXTP230N075
- BSD235
- IXTH260N055
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- BSP298
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- BSS306
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- IXFK360N10
- IXTH360N055
- IXFT400N075
- IXFK420N10
- IXFN420N10
- IXFX420N10
- IXTH450
- IXTH460
- IXTP460
- IXTH500N04
- IXFK520N075
- IXFX520N075
- IXTZ550N055
- ZXMS600
- DMN1025
- DMP1045
- DMC1229
- DMC2004
- DMP2004
- DMN2005
- DMP2006
- DMN2009
- DMP2022
- DMN2029
- DMP2047
- ZVN2106
- ZVN2110
- ZVP2110
- EMH2604
- DMC2700
- DMN2990
- DMN3010
- DMN3024
- DMC3028
- DMN3030
- DMN3033
- DMP3035
- DMP3056
- DMP3098
- NTNS3164NZ
- ZVN3310
- CPC3710
- CPH3910
- DMHC4035
- ZVN4206
- ZVN4210
- ZVN4424
- ZVP4424
- EFC4615R
- DMG4712
- DMG4800
- NVTFS4824N
- NTD4965N
- NTHS5404
- ZXMS6003
- DMP6050
- DMN6140
- DMG6402
- DMG6968
- DMG7401
- IRFHM8228
- CSD17310Q5A
- CSD17578Q3A
- CSD17579Q3A
- CSD18532Q5B
- CSD19533Q5A
- -
- *
- AlphaMOS
- AlphaSGT™
- CoolGaN™
- CoolMOS??
- CoolMOS?CE
- CoolMOS™
- CoolMOS™CE
- CoolMOS™CE
- CoolSiC™
- DE
- DTMOSIV
- DTMOSV
- DeepGATE?、STripFET?VI
- DeepGATE?、STripFET?VII
- DeepGATE™、STripFET™VII
- DeepGATE、STripFET
- DeepGATE、STripFETVI
- DeepGATE、STripFETVII
- DualCool™、PowerTrench®
- DualCool™、PowerTrench®、SyncFET™
- E
- EF
- EL
- EPAD®
- EPAD®、ZeroThreshold™
- FASTIRFET™
- FASTIRFET™、HEXFET®
- FDmesh
- FDmesh??II
- FDmesh?IIPlus
- FDmeshII
- FDmesh™
- FETKY™
- FRFET®
- FRFET®、QFET™
- FRFET®、SuperFET®II
- FRFET®、UniFET™
- FemtoFET
- FemtoFET™
- GaN
- GigaMOS™
- GigaMOS™HiPerFET™
- GreenBridge™PowerTrench®
- HEXFET®
- HEXFET®、StrongIRFET™
- HTMOS™
- HiPerFET??
- HiPerFET™
- HiPerFET™、PolarHT™
- HiPerFET™、PolarHV™
- HiPerFET™、Polar™
- HiPerRF™
- LITTLEFOOT®
- MDmesh
- MDmesh?II
- MDmesh?IIPlus
- MDmesh?V
- MDmeshII
- MDmeshIIPlus
- MDmeshV
- MDmesh™
- MDmesh™II
- MDmesh™IIPlus
- MDmesh™V
- MESHOVERLAY
- MESHOVERLAY??
- MESHOVERLAY?II
- MESHOVERLAY?III
- MESHOVERLAY™
- Mdmesh??V
- MdmeshII
- MdmeshV
- MegaMOS™
- N-channelMDmesh
- N-channelSTripFET
- NexFET
- NexFET™
- OptiMOS??
- OptiMOS™
- OptimWatt??
- OptimWatt™
- POWERMOSV®
- Polar??
- PolarHT™
- PolarHT™HiPerFET™
- PolarHV??
- PolarHV™
- PolarP™
- PolarVHV™
- Polar™
- PowerMESH
- PowerMESHII
- PowerMESH™
- PowerPAIR®、TrenchFET®
- PowerTrench®
- PowerTrench®、SyncFET™
- QFET®
- SDMOS™
- SIPMOS?
- SIPMOS®
- SIPMOS™
- SIRxxxDP
- SISxxxADN
- SISxxxDN
- SMPD
- SPM®
- SQSeries
- SRFET??
- SRFET™
- STripFET
- STripFET??DeepGATE??
- STripFET??II
- STripFET??III
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- STripFETII
- STripFETIII
- STripFETV
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- STripFET™
- STripFET™II
- STripFET™III
- STripFET™V
- SkyFET®、TrenchFET®
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- SuperFET™
- SuperFET®II
- SuperFET®III
- SuperMESH
- SuperMESH™
- SuperMOS™
- SupreMOS™
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- ThunderFET
- ThunderFET®
- TinyFET®
- TrenchFET
- TrenchFET®
- TrenchFET®GenII
- TrenchFET®GenIII
- TrenchFET®GenIV
- TrenchMOS™
- TrenchMV™
- TrenchP™
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- U-MOSIV
- U-MOSIX
- U-MOSIX-H
- U-MOSVI
- U-MOSVII
- U-MOSVII-H
- U-MOSVIII-H
- UltraFASTmesh
- UltraFASTmesh™
- UltraFET™
- UltraFRFET™、Unifet™
- UniFET-II™
- UniFET™
- Z-FET™
- Z-FET™Z-Rec™
- Z-MOS™
- Z-REC™
- aMOS™
- eGaN?
- eGaN®
- µCool
- µCool™
- π-MOSIV
- π-MOSV
- π-MOSVI
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- 2 N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2 N-チャンネル（デュアル）非対称
- 2 Nチャンネル（デュアル）
- 2 Pチャンネル（デュアル）
- 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン
- 2N-チャンネル(デュアル)非対称
- 2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2N-チャンネル（デュアル）非対称
- 2Nチャネル
- 2Nチャンネル(デュアル)
- 2Nチャンネル(デュアルバックチョッパ)
- 2Nチャンネル（デュアル）
- 2Nチャンネル（デュアル）整合ペア
- 2P-チャンネル(デュアル)コモンドレイン
- 2P-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2Pチャンネル(デュアル)
- 2Pチャンネル(デュアル)コモンソ-ス
- 2Pチャンネルル（デュアル）整合ペア
- 2Pチャンネル（デュアル）
- 2 Nチャンネル（デュアル）
- LDMOS（2個）
- Nチャネル(デュアル)コモンソ-ス×2
- Nチャネル（デュアル）コモンソース×2
- Nチャンネル2個(ハ-フブリッジ)
- Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
- 2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア
- Nチャンネル2個およびPチャンネル2個(Hブリッジ)
- Nチャンネル2個およびPチャンネル2個（Hブリッジ）
- 3N-Channel(HalfBridge+SynchronousBootstrap)
- 3Nチャンネル(位相レッグ+昇圧チョッパ)
- 3Nチャンネル（ハーフブリッジ+同期式ブートストラップ）
- 3Nおよび3Pチャネル（3相ブリッジ）
- 4Nチャンネル、整合ペア
- 4Nチャンネル（ハーフブリッジ）
- 4Pチャンネル、整合ペア
- Nチャンネル4個
- Nチャンネル4個(Hブリッジ)
- Nチャンネル4個（Hブリッジ）
- 5Nチャンネル、コモンソース
- 5Nチャンネル（ソーラーインバータ）
- 5Pチャンネル、コモンソース
- 6Nチャンネル(3相ブリッジ)
- 6Nチャンネル（3相ブリッジ）
- 6Nおよび6Pチャンネル
- Nチャンネル8個、共通ゲート、コモンソース
- Complementary
- Dual
- DualCommonSource
- DualDualDrain
- GaNFETNチャンネル、窒化ガリウム
- HEMT
- LDMOS
- MOSFET Nチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFET Nチャンネル、ショットキー、酸化金属
- MOSFET Nチャンネル、酸化金属
- MOSFET Pチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFET Pチャンネル、酸化金属
- MOSFETNチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFETNチャンネル、ショットキー、酸化金属
- MOSFETNチャンネル、酸化金属
- MOSFETPチャンネル、ショットキー、酸化金属
- MOSFETPチャンネル、酸化金属
- NおよびPチャンネル
- NおよびPチャンネル、コモンドレイン
- NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
- Nチャンネル
- NチャンネルJFET
- Nチャンネルデュアルゲート
- Pチャンネル
- SiCFETNチャンネル、シリコンカ-バイド
- Single
- SingleDualDrain
- SingleDualSource
- SingleHexDrain
- SingleQuadDrain
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- SingleQuintDrainDualSource
- SingleQuintSource
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ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 5.7 A, 8 ピン パッケージMLP
オンセミコンダクター
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 5.7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = MLP
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 2100 mW
・寸法 = 3 x 3 x 0.95mm
PowerTrench® PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。- 数量スライド割引
通常価格 ： 262円 通常出荷日 ： 1日目 -
ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 20 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
オンセミコンダクター
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 23 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3V
・最低ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -16 V, +16 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 110 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
UltraFET® MOSFET、Fairchild Semiconductor. UItraFET® Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。 用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理- 数量スライド割引
通常価格 ： 691円 通常出荷日 ： 4日目 -
ON Semiconductor Pチャンネル MOSFET, 80 V, 2.1 A, 6 ピン パッケージSOT-23
オンセミコンダクター
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 2.1 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 310 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOT-23
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.6 W
・標準ターンオン遅延時間 = 6.5 ns
PowerTrench® PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. PowerTrench® MOSFETは、システム効率と電力密度を向上するように最適化された電源スイッチです。 これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。 最新のPowerTrench® MOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが保たれます。 この高度なテクノロジーを利用しているので、これらのデバイスのFOM (性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。 PowerTrench® MOSFETのソフトボディダイオードは、スナバー回路を必要とせず、電圧定格の高いMOSFETの代替品として使用することも可能な性能を誇ります。- 数量スライド割引
通常価格 ： 121円 通常出荷日 ： 1日目 -
ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET, 60 V, 75 A, 3 ピン パッケージTO-220
オンセミコンダクター
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 75 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 24 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 150 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
強化モードNチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. 強化モードの電界効果トランジスタ(FET)は、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。 この高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。- 数量スライド割引
通常価格 ： 981円 通常出荷日 ： 4日目 -
通常価格 ： 11円～ 通常出荷日 ： 4日目 -
通常価格 ： 2,959円～ 通常出荷日 ： 4日目 -
通常価格 ： 24円～ 通常出荷日 ： 4日目 -
ハネウェル
スルーホール実装形 パッケージ品。 HTMOS™ シリーズ、標準タイプ N-Channnel MOSFET。
【特長】
• Specified Over -55 to +225°C
• Output Current up to 1 Amp Continuous
• Typical Input Voltage up to 60V
• Silicon-On-Insulator (SOI)
• 4-Pin Power-Tab Package, 8-Pin Ceramic Dip with Integral Heat Sink or Die Dimensions 4.699 x 2.286 mm通常価格 ： 50,786円 通常出荷日 ： 4日目 -
通常価格 ： 659円 通常出荷日 ： 4日目 -
ADVANCED LINEAR
EPAD®、ZeroThreshold™ シリーズ 他 FETアレイ
【主な仕様】
・実装タイプ ： スルーホール実装形/表面実装形
・FETタイプ ： 2P/2Nチャンネル、4P/4Nチャンネル 他
・ドレイン～ソース間電圧（Vdss） ： 8V、10.6V
・最大電力 ： 500mW- 数量スライド割引
通常価格 ： 935円～ 通常出荷日 ： 4日目 -
GLOBAL POWER TE
【主な仕様】
・実装タイプ ： スルーホール実装形
・FET種類 ： シングルFET
・トランジスタタイプ ： Nチャンネル- 数量スライド割引
通常価格 ： 690円～ 通常出荷日 ： 4日目 -
Taiwan Semiconductor NPN トランジスタ, 400 V, 1.5 A, 3-Pin TO-92
Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 1.5 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 400 V
・パッケージタイプ = TO-92
・実装タイプ = スルーホール
・最大パワー消費 = 1.5 W
・最小DC電流ゲイン = 6
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 700 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 9 V
・最大動作周波数 = 4 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 3 V
高電圧NPNトランジスタ、Taiwan Semiconductor- 数量スライド割引
通常価格 ： 26円 通常出荷日 ： 1日目 -
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 13 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 13 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 130 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 50 W
・シリーズ = STripFET
NチャンネルSTripFET™、STMicroelectronics通常価格 ： 128円 通常出荷日 ： 5日目 -
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 8 A, 3 ピン パッケージTO-247
ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 160 W
・幅 = 5.15mm
NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、700 → 1200 V、STMicroelectronics- 数量スライド割引
通常価格 ： 853円 通常出荷日 ： 1日目 -
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 500 V, 45 A, 3 ピン パッケージTO-247 MDmesh シリーズ
ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 45 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 100 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 417 W
・トランジスタ素材 = Si
NチャンネルMDmesh™、500 V、STMicroelectronics- 数量スライド割引
通常価格 ： 1,941円 通常出荷日 ： 1日目 -
STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 6 A, 3 ピン パッケージTO-220
ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 6 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.2Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 110W
・標準ゲートチャージ @ Vgs = 33 nC @ 10 V
NチャンネルMDmesh™ SuperMESH™、250 V → 650 V、STMicroelectronics- 数量スライド割引
通常価格 ： 278円 通常出荷日 ： 5日目 -
STMicroelectronics 8回路入り NPN ダーリントンペア, 50 V, 500 mA, hFE≧1000, 18-Pin PDIP
ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大連続コレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
・パッケージタイプ = PDIP
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 18
・トランジスタ構成 = コモンエミッタ
・1チップ当たりのエレメント数 = 8
・最小DC電流ゲイン = 1000
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.6 V
・幅 = 7.1mm
ダーリントントランジスタアレイ、STMicroelectronics. ダーリントントランジスタドライバは、複数のオープンコレクタダーリントンペアと、誘導負荷用の集積サプレッションダイオードを備えた、高電圧・大電流スイッチアレイです。 定格電流は、各出力につき500 mA以上と大きくなっています。 ICパッケージにおいて入力は出力の反対側に固定されており、アプリケーション基板レイアウトが簡素化されます。 インターフェイスは、標準のTTL又はCMOS論理レベルです。通常価格 ： 316円 通常出荷日 ： 1日目 -
STMicroelectronics Nチャンネル IGBT, 600 V, 60 A, 1MHz, 3-Pin TO-220FP シングル
ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
・最大連続コレクタ電流 = 60 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 600 V
・最大ゲート-エミッタ間電圧 = ±20V
・最大パワー消費 = 260 W
・パッケージタイプ = TO-220FP
・実装タイプ = スルーホール
・チャンネルタイプ = N
・ピン数 = 3
・スイッチングスピード = 1MHz
・トランジスタ構成 = シングル
・長さ = 10.4mm
・幅 = 4.6mm
・高さ = 15.75mm
・寸法 = 10.4 x 4.6 x 15.75mm
・動作温度 Max = +175℃
IGBTディスクリート、STMicroelectronics通常価格 ： 378円 通常出荷日 ： 5日目 -
STMicroelectronics PNP トランジスタ, 60 V, 1.5 A, 3-Pin SOT-32
ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 1.5 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V
・パッケージタイプ = SOT-32
・実装タイプ = スルーホール
・最大パワー消費 = 1.25 W
・最小DC電流ゲイン = 25
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・動作温度 Max = +150℃
汎用PNPトランジスタ、STMicroelectronics- 数量スライド割引
通常価格 ： 122円 通常出荷日 ： 5日目 -
Panasonic Pチャンネル MOSFET, 12 V, 4 A, 3 ピン パッケージSMini3-G1-B MTM シリーズ
Panasonic
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 12 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 30 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
・パッケージタイプ = Smini3-G1-B
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 500 mW
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 1200 pF @ -10 V
PチャンネルMOSFET、パナソニック通常価格 ： 32円 通常出荷日 ： 1日目 -
Texas Instruments デュアル MOSFETドライバ, 0.5A, 4.75～24 V、4.75～5.25 V, 8-Pin PDIP
テキサスインスツルメンツ
・ドライバ数 = 2
・動作供給電圧 Min = 4.75 V
・動作供給電圧 Max = 5.25 V、24 V
・トポロジー = ローサイド
・実装タイプ = スルーホール
・ピーク出力電流 = 0.5A
・出力数 = 2
・極性 = 非反転
・パッケージタイプ = PDIP
・ピン数 = 8
・入力ロジック互換性 = TTL
・寸法 = 9.81 x 6.35 x 4.57mm
MOSFET / IGBTドライバ、2.5 A以下、Texas Instruments. Texas Instrumentsの専用のゲートドライバIC製品です。MOSFETとIGBTのどちらの用途にも適しています。 このデバイスは、MOSFETやIGBTの出力デバイスの駆動要件に適合する最適な高電流の出力が可能で、さまざまな構成及びパッケージタイプが揃っています。- 数量スライド割引
通常価格 ： 720円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 100
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = -50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = -5 V
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・幅 = 1.4mm
汎用PNPトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 8円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 80 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V
小信号PNPトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 14円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 80 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V
小信号PNPトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 24円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・高さ = 1mm
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 28円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin UMT
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = UMT
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 200 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 33円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 500mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.7 V
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 30円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia デュアル NPN + PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 6-Pin SOT-457 (SC-74)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN + PNP
・最大DCコレクタ電流 = 500 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-457 (SC-74)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 600 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = 絶縁型
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 6
・1チップ当たりのエレメント数 = 2
・幅 = 1.7mm
デュアルNPN/PNPトランジスタ、Nexperia- 数量スライド割引
通常価格 ： 24円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 500 mW
・最小DC電流ゲイン = 200
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 22円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 65 V, 100mA, 3-Pin UMT
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 65 V
・パッケージタイプ = UMT
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 200 mW
・最小DC電流ゲイン = 200
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 80 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 13円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 110
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・高さ = 1mm
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 24円 通常出荷日 ： 5日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 200
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・動作温度 Min = -65℃
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 24円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia デュアル NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 6-Pin SOT-363 (SC-88)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-363 (SC-88)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 200 mW
・最小DC電流ゲイン = 200
・トランジスタ構成 = 絶縁型
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 6
・1チップ当たりのエレメント数 = 2
・寸法 = 1 x 2.2 x 1.35mm
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 16円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin UMT
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = UMT
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 200 mW
・最小DC電流ゲイン = 200
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.4 V
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 62円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 420
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・動作温度 Max = +150℃
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 23円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 30 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 30 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 420
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 30 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・動作温度 Max = +150℃
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 114円 通常出荷日 ： 1日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 420
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・幅 = 1.4mm
小信号NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 18円 通常出荷日 ： 5日目 -
NXP PNP トランジスタ, 60 V, 1 A, 3 + Tab-Pin SOT-223
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V
・パッケージタイプ = SOT-223
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 1 W
・最小DC電流ゲイン = 100
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 145 MHz
・ピン数 = 3 + Tab
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V
汎用PNPトランジスタ、Nexperia- 数量スライド割引
通常価格 ： 58円 通常出荷日 ： 5日目 -
Nexperia PNP トランジスタ, 80 V, 1 A, 4-Pin SOT-223 (SC-73)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V
・パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 1 W
・最小DC電流ゲイン = 100
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 145 MHz
・ピン数 = 4
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・動作温度 Min = -65℃
汎用PNPトランジスタ、Nexperia- 数量スライド割引
通常価格 ： 58円 通常出荷日 ： 5日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 45 V, 1 A, 4-Pin SOT-223 (SC-73)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 45 V
・パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 960 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 45 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 180 MHz
・ピン数 = 4
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・幅 = 3.7mm
汎用NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 136円 通常出荷日 ： 5日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 80 V, 1 A, 4-Pin SOT-223 (SC-73)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V
・パッケージタイプ = SOT-223 (SC-73)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 960 mW
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 180 MHz
・ピン数 = 4
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V
汎用NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 131円 通常出荷日 ： 5日目 -
NXP PNP トランジスタ, 60 V, 1 A, 4-Pin UPAK
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V
・パッケージタイプ = UPAK
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 1.3 W
・最小DC電流ゲイン = 100
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 145 MHz
・ピン数 = 4
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V
汎用PNPトランジスタ、Nexperia- 数量スライド割引
通常価格 ： 59円 通常出荷日 ： 5日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 80 V, 1 A, 3-Pin SOT-89
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V
・パッケージタイプ = SOT-89
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 1.35 W
・最小DC電流ゲイン = 40
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 100 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・幅 = 2.6mm
汎用NPNトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 48円 通常出荷日 ： 5日目 -
Nexperia NPN トランジスタ, 250 V, 50 mA, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 50 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 250 V
・パッケージタイプ = SOT-23 (TO-236AB)
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 250 mW
・最小DC電流ゲイン = 50
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 250 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 60 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・幅 = 1.4mm
高電圧トランジスタ、Nexperia通常価格 ： 111円 通常出荷日 ： 1日目 -
NXP NPN トランジスタ, 18 V, 150mA, 4-Pin UPAK
ＮＸＰ
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 150 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 18 V
・パッケージタイプ = UPAK
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 1 W
・最小DC電流ゲイン = 25
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 25 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 2 V
・最大動作周波数 = 4000 MHz
・ピン数 = 4
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・高さ = 1.6mm
RFバイポーラトランジスタ、Nexperia通常価格 ： 158円 通常出荷日 ： 1日目
| メーカー |
|---|
| シリーズ名 |
| 通常価格 |
| 通常出荷日 |
| デバイスパッケージ |
| 種別 |
| シリーズ |
| FETタイプ |
| トランジスタタイプ |
| 実装タイプ |
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| メーカー | オンセミコンダクター | オンセミコンダクター | オンセミコンダクター | オンセミコンダクター | Ｃｅｎｔｒａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ | MACOM | Ｅｘａｒ | ハネウェル | Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ | ADVANCED LINEAR | GLOBAL POWER TE | Ｔａｉｗａｎ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ | ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ | ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ | ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ | ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ | ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ | ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ | ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ | Panasonic | テキサスインスツルメンツ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ | ＮＸＰ |
| シリーズ名 | ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 5.7 A, 8 ピン パッケージMLP | ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 20 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) | ON Semiconductor Pチャンネル MOSFET, 80 V, 2.1 A, 6 ピン パッケージSOT-23 | ON Semiconductor Nチャンネル MOSFET, 60 V, 75 A, 3 ピン パッケージTO-220 | STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 13 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) | STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 8 A, 3 ピン パッケージTO-247 | STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 500 V, 45 A, 3 ピン パッケージTO-247 MDmesh シリーズ | STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 6 A, 3 ピン パッケージTO-220 | STMicroelectronics 8回路入り NPN ダーリントンペア, 50 V, 500 mA, hFE≧1000, 18-Pin PDIP | STMicroelectronics Nチャンネル IGBT, 600 V, 60 A, 1MHz, 3-Pin TO-220FP シングル | Panasonic Pチャンネル MOSFET, 12 V, 4 A, 3 ピン パッケージSMini3-G1-B MTM シリーズ | Texas Instruments デュアル MOSFETドライバ, 0.5A, 4.75～24 V、4.75～5.25 V, 8-Pin PDIP | Nexperia デュアル NPN + PNP トランジスタ, 45 V, 500mA, 6-Pin SOT-457 (SC-74) | Nexperia デュアル NPN トランジスタ, 45 V, 100mA, 6-Pin SOT-363 (SC-88) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 通常価格 | 262円 数量別スライド値引 | 691円 数量別スライド値引 | 121円 数量別スライド値引 | 981円 数量別スライド値引 | 11円～ 数量別スライド値引 | 2,959円～ 数量別スライド値引 | 24円～ 数量別スライド値引 | 50,786円 | 659円 数量別スライド値引 | 935円～ 数量別スライド値引 | 690円～ 数量別スライド値引 | 26円 数量別スライド値引 | 128円 | 853円 数量別スライド値引 | 1,941円 数量別スライド値引 | 278円 数量別スライド値引 | 316円 | 378円 | 122円 数量別スライド値引 | 32円 | 720円 数量別スライド値引 | 8円 | 14円 | 24円 | 28円 | 33円 | 30円 | 24円 数量別スライド値引 | 22円 | 13円 | 24円 | 24円 | 16円 | 62円 | 23円 | 114円 | 18円 | 58円 数量別スライド値引 | 58円 数量別スライド値引 | 136円 | 131円 | 59円 数量別スライド値引 | 48円 | 111円 | 158円 |
| 通常出荷日 | 1日目 | 4日目 | 1日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 1日目 | 5日目 | 1日目 | 1日目 | 5日目 | 1日目 | 5日目 | 5日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 5日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 1日目 | 5日目 | 5日目 | 5日目 | 5日目 | 5日目 | 5日目 | 5日目 | 1日目 | 1日目 |
| デバイスパッケージ | - | - | - | - | SOT-963 ～ ダイ | TO-272BC ～ 744A-01 | TO-261-4、TO-261AA | 4ピンSIP | SOIC-8 | 8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅） ～ 16-DIP（0.300インチ、7.62mm） | TO-251-3短リード線、IPak、TO-251AA ～ TO-3P-3、SC-65-3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 種別 | - | - | - | - | アレイ / JFET（ジャンクションフィールド効果） / RF FET / シングル | RF FET | シングル | シングル | MOSFET | アレイ | シングル | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - | - | TMOS® | - | HTMOS™ | LN60A01 | EPAD® ～ EPAD®、ZeroThreshold™ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - | 2Nチャンネル（デュアル） ～ Pチャンネル | Nチャネル（デュアル）コモンソース×2 ～ Nチャンネル | Nチャンネル | MOSFETNチャンネル、酸化金属 | Triple | 2Nチャンネル（デュアル）整合ペア ～ NおよびPチャンネルコンプリメンタリ | Nチャンネル | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| トランジスタタイプ | - | - | - | - | - | - | - | - | N-Channel | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 実装タイプ | - | - | - | - | 表面実装 / スルーホール | - | 表面実装 | スルーホール | 表面実装 | 表面実装 / スルーホール | スルーホール | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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