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- SOT-963-6
- SOT-957A
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- NI-780S
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- SOT-665
- NI-650H-4L
- SOT-563
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- SOT-563-6
- SOT-553
- SOT-523
- SOT-523-3
- DE-475-6
- SOT-457T
- NI-400S-2S
- SOT-363T
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- TO-226-3、TO-92-3標準本体
- TO-226-3、TO-92-3標準本体（TO-226AA）
- TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形リード
- TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）（成形フォームドリード）
- SOT-223-8
- SOT-223-4
- SOT-223-3
- TO-220FM
- TO-220-5フルパッッケ-ジ
- Super-220™-3(ストレ-トリ-ド)
- TO-220-3
- TO-220-3フルパック、バリアント
- TO-220-3フルパック、成形リード
- TO-220-3フルパック、絶縁タブ
- TO-220-3フルパッケ-ジ
- TO-220-3フルパッッケ-ジ
- TO-220-3フルパッッケージ
- TO-220-3成形フォ-ムドリ-ド
- TO-220-3絶縁タブ
- TO-220-2フルパッッケージ
- TO-206AF、TO-72-4金属缶
- TO-206AA、TO-18-3金属缶
- TO-205AD、TO-39-3金属缶
- SOT-143R
- SC-101、SOT-883
- SC-100、SOT-669
- SC-100、SOT-669、4-LFPAK
- SC-96
- SC-95-6
- TO-92-3
- SC-89、SOT-490
- SOT-89, TO-243
- SOT-89-3
- SC-88, SC-70-6, SOT-363
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- SC-85
- SC-83
- SC-82A、SOT-343
- SC-75A
- SC-75、SOT-416
- PowerPAKSC-75-6Lデュアル
- PowerPAK®SC-75-6L
- PowerPAK®SC-75-6Lデュアル
- SC-74A、SOT-753
- SC-74、SOT-457
- SC-74, SOT-26, SOT-457
- SC-70、SOT-323
- PowerPAK?SC-70-6
- PowerPAKSC-70-6デュアル
- PowerPAK®SC-70-6
- PowerPAK®SC-70-6デュアル
- SC-70-6
- SC-70-3
- SC-67-3
- SC-63,TO-252,SOT-428, DPAK
- SC-62-3
- SC-61AA
- TO-46-3
- MP-45F／TO-220
- PMCP-32x2
- PMCP-31.8x1.6
- SOT-26-6
- SMPD-24
- SOT-23
- SOT-23-6
- TSOT-23-6
- SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
- SOT-23-5薄型、TSOT-23-5
- SOT-23-3
- SOT-23-3フラットリ-ド
- SOT-23-3フラットリード
- SOT-23-3（TO-236）
- PQFN-18
- PowerSO-10露出ボトムパッド
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド(2ストレ-トリ-ド)
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド(2成形リ-ド)
- PowerSO-10RF露出ボトムパッド（2成形リード）
- ChipFET-8
- DPQFN-8
- HSO-8
- HSOF-8
- HSSO-8
- MSOP-8
- PQFN-8
- PowerFLAT-8
- PowerPAKSO-8
- PowerPAK®SO-8
- PowerPAK®SO-8デュアル
- SM-8
- SO-8
- SOIC-8
- SOIC-Narrow-8
- SOP-8
- TSON-8
- VSON-FET-8
- WDFN-8
- WMini-8-F1
- WSMini-8-F1-B
- DFN-6
- DPQFN-6
- DirectFET-6
- PQFN-6
- TSOP-6
- UDFN-6
- WSMini-6-F1-B
- WSSMini-6-F1
- SMini-6-F3-B
- SSMini-6-F3-B
- DirectFET-5
- WLCSP-4
- D-3モジュ-ル
- D-PAK-3
- DPAK-3
- DirectFET-3
- E-Line-3
- IPAK-3
- TO-3P
- TO-3PF
- TO-3PL
- TO-3PSG
- UFM-3
- MP-3Z／TO-252
- TO-3PFM、SC-93-3
- TO-3P-3
- TO-3P-3フルパッッケ-ジ
- TO-3P-3フルパッッケージ
- TO-3P-3、SC-65-3
- TO-3P-3、SC-65-3（形成済みリード）
- SMini-3-G1-B
- SMini-3-F2-B
- SSSMini-3-F2-B
- SSMini-3-F3-B
- PLD-1.5
- PLD-1.5W
- PLD-1.5W-2
- T-1
- F1モジュール
- SP1
- U-G1
- X1-DFN1006-2
- X1-DFN1212-3
- 2-SMD、ノーリード、露出パッド
- 2ピンSMD
- ATPAK(2リ-ド+タブ)
- ATPAK（2リード+タブ）
- DirectFET™アイソメトリックM2
- U-G2
- DPAK（L）-（2）／TO-251
- D2PAK-7
- D2PAK-3
- I2PAK-3
- X2-DFN0606-3
- X2-DFN1006-3
- 3-SMD、フラットリード
- 3-SMD、リードなし
- 3-UDFN
- 3-UFDFN
- 3-WDSON
- 3-XDFN
- 3-XDFN露出パッド
- 3-XFDFN
- 3-XFLGA
- 3ピンCP
- 3ピンCPH
- 3ピンSMD、フラットリ-ド
- 3ピンSMD、フラットリード
- 3ピンSMD、リードなし
- 3ピンUSFP
- 3ピンVTFP
- 3ピンWDSON
- 3ピンXDFN露出ボトムパッド
- 3ピンXFDFN
- 3ピンXFLGA
- SP3
- Y3-Li
- CPH3, SC-59, SOT-23, TO-236
- XDFN3-3
- 4-Micro-X
- 4-PowerFlat™HV
- 4-PowerTSFN
- 4-SMD、フラットリード
- 4-SMD、リードなし
- 4-UFBGA
- 4-UFBGA、CSPBGA
- 4-UFBGA、DSBGA
- 4-UFBGA、FCBGA
- 4-UFBGA、WLBGA
- 4-UFBGA、WLCSP
- 4-VSFN露出パッド
- 4-VSFN露出ボトムパッド
- 4-XDFN
- 4-XFBGA
- 4-XFBGA、CSPBGA
- 4-XFBGA、WLBGA
- 4-XFBGA、WLCSP
- 4-XFDFN
- 4-XFLGA
- 4-XFLGA、CSP
- 4ピンPowerFlat?HV
- 4ピンPowerFlatHV
- 4ピンSIP
- 4ピンSMD
- 4ピンSMD、リ-ドなし
- 4ピンTSFN、露出ボトムパッド
- 4ピンTSFN露出パッド
- 4ピンUFBGA、DSBGA
- 4ピンUFBGA、WLCSP
- 4ピンVSFN露出ボトムパッド
- 4ピンXFBGA
- 4ピンXFBGA、CSPBGA
- DirectFET™アイソメトリックM4
- SP4
- ダイ外径(4-はんだ棒)
- ISOPLUS-i4-5
- i4-Pac™-5(3リ-ド)
- i4-Pac™-5（3リード）
- ISOPLUS-i4-3
- 4-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 4ピンEFCP（1.61x1.61）
- 5ピンLGA
- 5ピンMCPH
- 5ピンXFLGA
- ISOPLUSi5-Pak™
- ダイ外径(5-はんだ棒)
- 5-TSSOP、SC-70-5、SOT-353
- 6-MICROFOOT™
- 6-PowerPair™
- 6-PowerUDFN
- 6-PowerUFDFN
- 6-PowerVDFN
- 6-PowerWDFN
- 6-PowerXDFN
- 6-SMD、フラットリード
- 6-SMD、フラットリード露出パッド
- 6-SMD、リードなし
- 6-UDFN露出パッド
- 6-UDFN露出ボトムパッド
- 6-UFBGA
- 6-UFBGA、DSBGA
- 6-UFBGA、WLBGA
- 6-UFBGA、WLCSP
- 6-UFDFN露出パッド
- 6-UFDFN露出ボトムパッド
- 6-VDFN露出パッド
- 6-VFBGA、WLBGA
- 6-VQFN
- 6-WDFN露出パッド
- 6-WFDFN露出パッド
- 6-XFBGA
- 6-XFBGA、WLCSP
- 6-XFDFN
- 6-XFDFN露出パッド
- 6-XFDFN露出ボトムパッド
- 6-XFLGA
- 6-パワ-VDFN
- 6ピンCPH
- 6ピンCSP
- 6ピンPowerWDFN
- 6ピンSCH
- 6ピンSMD、フラットリ-ド
- 6ピンSMD、フラットリード
- 6ピンUDFN露出ボトムパッド
- 6ピンUFBGA、DSBGA
- 6ピンUFDFN露出ボトムパッド
- 6ピンVDFN露出ボトムパッド
- 6ピンWDFN露出パッド
- 6ピンXFBGA
- 6ピンXFDFN露出ボトムパッド
- DirectFET™アイソメトリックL6
- SP6
- ダイ外径(6-はんだ棒)
- 6-TSSOP、SC-88、SOT-363
- 6-VSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンTSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンVSSOP、SC-88、SOT-363
- 6ピンUDFN（1.6x1.6）
- 6ピンEFCP（1.9x1.46）
- 6ピンUDFN（2x2）
- 6ピンWDFN（2x2）
- 6ピンEFCP（2.7x1.81）
- 6-SMD（5リード）、フラットリード
- 6-MLP、Power33
- ダイ外径(7-はんだ棒)
- 8-PowerLDFN
- 8-PowerPak®CHIPFET™
- 8-PowerSFN
- 8-PowerSMD、フラットリ-ド
- 8-PowerSMD、フラットリード
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- 8-PowerUDFN
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- 8-TQFN露出ボトムパッド
- 8-UDFN露出ボトムパッド
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- 8-VQFN露出ボトムパッド
- 8-WDFN露出パッド
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- 8-パワ-VDFN
- 8-パワ-VQFN
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- 8ピンパワ-VDFN
- 8ピンパワーTDFN
- DirectFET™アイソメトリックL8
- HSOP8
- HSOP8S
- SOP8
- SO−8 FLAT LEAD
- SO−8FL
- TSMT8
- WDFN8
- 8-TSOP（0.130インチ、3.30mm幅）
- 8-SOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
- 8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 8-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）露出パッド
- 8ピンSOIC(0.154インチ、3.90mm幅)
- 8ピンSOIC(0.154インチ、3.90mm幅)露出ボトムパッド
- 8ピンSOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 8-SOIC（0.173インチ、4.40mm幅）
- 8-TSSOP（0.173インチ、4.40mm幅）
- 8ピンTSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
- 8-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- SO8-F1-B
- 8-PowerTDFN、5リード
- 8ピンPowerTDFN、5 リード
- 8ピンPowerTDFN、5リ-ド
- HSOP8D（5×6）
- 8ピンDFN（5x6）デュアルフラグ（SO8FLデュアル非対称）
- PowerPAK®8x8デュアル
- 8-TSSOP、8-MSOP(0.118インチ、3.00mm幅)
- 8-TSSOP、8-MSOP（0.118インチ、3.00mm幅）
- 9-UFBGA、DSBGA
- 9-UFBGA、WLBGA
- 9-VFBGA
- 9ピンUFBGA、DSBGA
- 10-PolarPAK®（L）
- 10-PolarPAK®（S）
- 10-PowerSOPモジュール
- 10-SMD、リードなし
- 10-XFBGA
- 10ピンPolarPAK(L)
- 10ピンSMDモジュ-ル
- 10ピンXFBGA
- ダイ外径(11-はんだ棒)
- 12-PowerWDFN
- 12-SIP
- 12-SIP、露出ボトムパッド
- 12-UFQFN露出パッド
- 12-VFDFN露出パッド
- 12-WDFN露出パッド
- 12ピンUFBGA、DSBGA
- 14-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 14-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 15-SIP、露出ボトムパッド、成形リード
- 16-VDFN露出パッド
- 16-SOIC（0.154インチ、3.90mm幅）
- 16ピンTSSOP(0.173インチ、4.40mm幅)
- 16-DIP（0.300インチ、7.62mm）
- 19-PowerDIPモジュール
- 20-TSSOP（0.173インチ、4.40mm幅）露出パッド
- 20-PowerSOIC（0.433インチ、11.00mm幅）
- 22-PowerTFDFN
- 24-BESOP(0.906インチ、23.00mm幅)21リ-ド、露出ボトムパッド
- 24-PowerSMD、22リード
- 30-XFBGA
- 56ピンVFQFN露出ボトムパッド
- M174
- M177
- STAC177B
- 211-11、スタイル2
- 211-07
- M243
- M244
- STAC244B
- STAC244F
- ISOPLUS247™
- MAX247
- 249-06
- M250
- ISOPLUS264™
- STAC265B
- 305A-01
- 319-07
- 333-04
- 368-03
- 375-04
- 0402(1006メトリック)
- 412-01
- DE475
- 511AB
- 744A-01
- OM780-4
- PowerPAK®0806
- PowerPAK1212-8
- PowerPAK®1212-8
- PowerPAK®1212-8S
- PowerPAK®1212-8SH
- PowerPAK®1212-8W
- PowerPAK®1212-8デュアル
- DFN2020-8
- DFN2020-8D
- U-DFN2020-6
- HSML3030L10
- PowerDI3333-8
- 440095
- 440109
- 440117
- 440162
- 440166
- 440193
- 440196
- 440199
- 440206
- 440210
- 440217
- 440223
- *
- DPAK
- DirectFET™IsometricME
- DirectFET™アイソメトリックMF
- DirectFET™アイソメトリックMT
- DirectFET™アイソメトリックMX
- DirectFET™アイソメトリックMZ
- DirectFET™アイソメトリックSB
- DirectFET™アイソメトリックSQ
- DirectFET™アイソメトリックST
- ISOTOP
- LPTL ハイパワーパッケージ
- PolarPak
- PowerPAK?CHIPFET?シングル
- PowerPAK?CHIPFET?デュアル
- PowerPAK®CHIPFET™シングル
- PowerPAK®CHIPFET™デュアル
- ダイ
- モジュ-ル
- モジュール
-
種別
-
シリーズ
- OptiMOS™-5
- IXTP1R4N100
- IXTA1R4N120
- IXTA1R6N50
- IXTP1R6N100
- IXTP1N80
- IXTU01N100
- IXTP1N120
- RS1E240GN
- IXTF1N250
- IXTH1N250
- MMIX1F420N10
- MMIX1T550N055
- C2M™
- GigaMOS™、HiPerFET™、TrenchT2™
- GigaMOS™、HiperFET™、TrenchT2™
- GigaMOS™、TrenchT2™
- HiPerFET?、PolarP2?
- HiPerFET™、PolarP2™
- HiPerFET™、TrenchT2™
- LinearL2™
- MDmesh?M2
- MDmesh™DM2
- MDmesh™M2
- MDmesh™M2-EP
- PolarP2??
- PolarP2™
- TrenchT2??
- TrenchT2™
- IXTA2R4N120
- IXTP2R4N120
- IXTP02N50
- IXTP2N100
- IXTY2N100
- IXTP02N120
- 2N7002
- C3M™
- HiPerFET™、Polar3™
- HiperFET™、TrenchT3™
- OptiMOS™3
- STripFET?F3
- SuperFREDmesh3
- SuperMESH3
- ZXMC3
- ZXMN3A
- ZXMN3A0
- STD3NK90Z
- IXTA3N100
- IXTP3N100
- IXTH3N120
- IXTH3N150
- TrenchT4™
- ZXMN4A
- IXFP4N60
- IXTP4N80
- IXFA4N100
- RF4E110GN
- IXTH4N150
- MDmesh?K5
- MDmeshK5
- MDmeshM5
- MDmesh™DK5
- MDmesh™K5
- MDmesh™M5
- SuperMESH5
- SuperMESH5™
- DMN5L06
- IXFP5N50
- IXTY5N50
- TK5A60D
- IXFP5N100
- IXTP05N100
- IXTN5N250
- CoolMOS?P6
- CoolMOS™C6
- CoolMOS™P6
- DeepGATE?、STripFET?H6
- MDmesh™DM6
- MDmesh™M6
- STripFET?F6
- STripFET?H6
- STripFET™F6
- ZXMN6
- ZXMN6A
- ZXMS6
- VT6M1
- ZXMN6A07
- IXFH6N120
- IXTP06N120
- CoolMOS?C7
- CoolMOS™C7
- CoolMOS™CFD7
- CoolMOS™G7
- CoolMOS™P7
- POWERMOS7?
- POWERMOS7®
- STripFET?F7
- STripFET?H7
- STripFET™F7
- ZXMN7A11
- TK7A50D
- IXFA7N80P
- IXFP7N80
- IXFA7N100
- IXFP7N100
- POWERMOS8™
- IXTA08N100
- IXTP08N100
- IXTA08N120
- IXTN8N150
- DMN10
- ZXMP10A
- IXTP10N60
- IXTT10P60
- IXFA10N80P
- IXFH10N80P
- IXFP10N80
- IXFH10N100P
- DMP10H400
- IXFA12N50P
- IXTA12N50P
- IXTP12N50P
- IXFH12N90
- IXFH12N100P
- IXTH12N100
- IXFH12N120
- IXTH12N150
- IXTT12N150
- DMN13
- IXFA14N60P
- IXFH14N60
- IXTA14N60
- IXTP14N60
- IXTQ14N60
- IXFH14N80
- FMD15-06KC5
- IXFH15N100P
- IXFR15N100
- IXFT15N100
- IXTH16N10D2
- IXFA16N50P
- IXTA16N50
- IXTT16N50
- IXTH16N50D2
- IXFH16N80
- IXFT16N120
- IXTK17N120
- IXTN17N120
- IXTY18P10
- IXFH18N60
- IXFR18N90
- IXFH20N50
- IXFQ20N50
- IXTT20N50
- IXFH20N80
- IXFT20N80
- IXFH20N100
- IXFR20N100
- IXFX20N120
- IXTX20N150
- DMP22
- FMM22-06PF
- FMM22-05PF
- IXTH22N50
- IXFH22N60
- IXFQ22N60
- IXTK22N100
- IXKC23N60
- IXTH24N50
- IXKH24N60
- IXKP24N60
- IXFX24N100
- IXTX24N100
- DMN25
- IPD025N06
- IXTY26P10
- IXTQ26P20
- IXFP26N50
- IXFR26N100
- IXFR26N120
- IXFX26N120
- IXFX27N80
- IXFQ28N60
- DMN30
- IXFH30N50
- IXFT30N50
- IXTQ30N50
- IXTT30N50
- IXFH30N60
- IXKH30N60
- IXTQ30N60
- IXFB30N120P
- DMC31
- DMN31
- IXTY32P05
- IXTA32N20
- IXTA32P20
- IXTP32P20
- IXFK32N80
- IXFN32N80
- IXFR32N80
- IXFX32N90
- IXFK32N100
- IXFN32N100
- IXFR32N100
- IXFN32N120
- IXFN32N1003
- DMN33
- IXFH34N50
- NTB35N15
- IXTH36P15
- IXFR36N50
- IXFK36N60
- IXFT36N60
- FMD40-06KC
- IXKF40N60
- IXKN40N60
- IXKR40N60
- IXFK40N90
- XPP041N12
- IXTP42N25
- IXTQ42N25
- DMN44
- IXFR44N50
- IXFT44N50
- IXTQ44N50
- IXFR44N60
- IXFN44N80
- IXFR44N80
- IXFN44N100
- IXKN45N80
- IXTK46N50L
- LKK47
- FDM47-06KC5
- FMD47-06KC5
- IXTY48P05
- DMT50
- FMM50-025TF
- XPD50P04
- IPD50N06
- IXFT50N20
- IXTA50N20
- IXTP50N20
- IXTQ50N20
- IXTA50N25
- IXTQ50N25
- IXFT50N30
- IXFH50N50
- IXFQ50N50
- IXTH52P10
- DMB53D
- DMN53
- SI59xxxDx
- DMN60
- DMP60
- LN60A01
- IXTH60N20
- IXTP60N20
- IXTQ60N20
- IXTT60N20
- IXFT60N50
- IXFL60N80
- DMN61
- ZXM61N
- DMN62
- IXTA62N15
- IXTP62N15
- IXTN62N50
- IXFN62N80
- DMN63
- IXFK64N50
- IXFR64N50
- IXFR64N60
- XPB65R225
- IXFH69N30
- IXTQ69N30
- IXTT69N30
- IXFT70N20
- IXFH70N30
- IXFT70N30
- IXKT70N60
- IXTT74N20
- FMM75-01F
- IXTA75N10
- IXTH75N10
- IXTQ75N10
- IXTT75N10
- IXFP76N15
- IXTA76N25
- IXTP76N25
- IXTH80N20
- IXTT80N20
- IXFN80N50
- IXFX80N50
- IXFN80N60
- IXTK82N25
- IXTQ82N25
- IXFB82N60
- IXFL82N60
- IXFB82N60Q3
- BSS84
- IXTP86N20
- IXFH86N30
- IXFT86N30
- IXFH88N30
- IXFK88N30
- IXFT88N30
- IXTT88N30
- IXFN90N30
- IXFH94N30
- IXFT94N30
- IXFH96N15
- IXTQ96N15
- IXFH96N20
- IXFT96N20
- IXTQ96N20
- 車載用、AEC-Q100、NexFET?
- IXTQ100N25
- IXTT100N25
- IXFB100N50
- IXFL100N50
- AEC-Q101
- AEC-Q101、CoolMOS™
- AEC-Q101、DeepGATE™、STripFET™VII
- AEC-Q101、FDmesh™II
- AEC-Q101、HEXFET®
- AEC-Q101、MDmesh™
- AEC-Q101、MDmesh™V
- AEC-Q101、OptiMOS™
- AEC-Q101、PowerTrench®
- AEC-Q101、QFET®
- AEC-Q101、SIPMOS®
- AEC-Q101、STripFET™
- AEC-Q101、STripFET™II
- AEC-Q101、SuperFET®II
- AEC-Q101、SuperFET™
- AEC-Q101、TrenchFET®
- AEC-Q101、TrenchMOS™
- AEC-Q101、UltraFET™
- AEC-Q101、eGaN®
- AEC-Q101、MDmesh™DM2
- AEC-Q101、MDmesh™M2
- AEC-Q101、STripFET™F3
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F3
- AEC-Q101、STripFET™H5
- AEC-Q101、STripFET™F6
- AEC-Q101、STripFET™H6
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F6
- AEC-Q101、STripFET™F7
- 車載用、AEC-Q101、STripFET?F7
- IXFP102N15
- IXTP102N15
- IXFK102N30
- IXFN102N30
- IXFH110N10P
- IXTQ110N10
- IXTT110N10
- IXFA110N15
- IXTN110N20
- IXTX110N20
- IXFH120N15P
- IXTT120N15
- IXFH120N20P
- IXTK120P20
- IXTN120P20
- IXTQ120N20
- IXTX120P20
- IXFH120N25T
- IXFK120N25
- IXFX120N25
- IXFK120N30
- IXFX120N30
- IXTA120P065
- IXTH120P065
- IXTP120P065
- IXFP130N10
- IXTH140P05
- IXFH140N10
- IXFT140N10
- IXTH140P10
- IXTT140P10
- IXFH150N15
- IXTK150N15
- IXTQ150N15
- IXFH150N17
- IXFK150N30
- IXFX150N30
- IXTA160N04
- IXFH160N15
- BS170F
- IXFH170N10
- IXFK170N10
- IXTQ170N10
- IXTX170P10
- IXFK170N20
- IXFX170N20
- IXFB170N30
- IXFN170N30
- IXTP170N075
- IXFA180N10
- IXFK180N15
- IXFR180N15
- IXFR200N10
- IXFX200N10
- IXTN200N10
- IXTR200N10
- IXTX200N10
- DMS208
- IXTK210P10
- IXTX210P10
- IXFB210N20
- IXFB210N30
- IXFN210N30
- IXFK220N15
- IXFK220N17
- IXFR230N20
- IXFH230N075
- IXTP230N075
- BSD235
- IXTH260N055
- IXTP260N055
- BSP296
- BSP298
- IXFN300N10
- BSS306
- IXFT320N10
- IXFT340N075
- IXFK360N10
- IXTH360N055
- IXFT400N075
- IXFK420N10
- IXFN420N10
- IXFX420N10
- IXTH450
- IXTH460
- IXTP460
- IXTH500N04
- IXFK520N075
- IXFX520N075
- IXTZ550N055
- ZXMS600
- DMN1025
- DMP1045
- DMC1229
- DMC2004
- DMP2004
- DMN2005
- DMP2006
- DMP2022
- DMN2029
- DMP2047
- ZVN2106
- ZVN2110
- ZVP2110
- DMC2700
- DMN2990
- DMN3010
- DMN3024
- DMC3028
- DMN3030
- DMN3033
- DMP3056
- DMP3098
- NTNS3164NZ
- ZVN3310
- CPC3710
- CPH3910
- DMHC4035
- ZVN4206
- ZVN4210
- ZVN4424
- ZVP4424
- EFC4615R
- DMG4712
- DMG4800
- NVTFS4824N
- NTD4965N
- NTHS5404
- ZXMS6003
- DMP6050
- DMN6140
- DMG6402
- DMG6968
- CSD17310Q5A
- CSD17578Q3A
- CSD17579Q3A
- CSD18532Q5B
- CSD19533Q5A
- -
- *
- AlphaMOS
- AlphaSGT™
- CoolGaN™
- CoolMOS??
- CoolMOS?CE
- CoolMOS™
- CoolMOS™CE
- CoolMOS™CE
- CoolSiC™
- DE
- DTMOSIV
- DTMOSV
- DeepGATE?、STripFET?VI
- DeepGATE?、STripFET?VII
- DeepGATE™、STripFET™VII
- DeepGATE、STripFET
- DeepGATE、STripFETVI
- DeepGATE、STripFETVII
- DualCool™、PowerTrench®
- DualCool™、PowerTrench®、SyncFET™
- E
- EF
- EL
- EPAD®
- EPAD®、ZeroThreshold™
- FDmesh
- FDmesh??II
- FDmesh?IIPlus
- FDmesh™
- FETKY™
- FRFET®
- FRFET®、QFET™
- FRFET®、SuperFET®II
- FRFET®、UniFET™
- FemtoFET
- FemtoFET™
- GaN
- GigaMOS™
- GigaMOS™HiPerFET™
- GreenBridge™PowerTrench®
- HEXFET®
- HEXFET®、StrongIRFET™
- HTMOS™
- HiPerFET??
- HiPerFET™
- HiPerFET™、PolarHT™
- HiPerFET™、PolarHV™
- HiPerFET™、Polar™
- HiPerRF™
- LITTLEFOOT®
- MDmesh
- MDmesh?II
- MDmesh?IIPlus
- MDmesh?V
- MDmeshII
- MDmeshIIPlus
- MDmeshV
- MDmesh™
- MDmesh™II
- MDmesh™IIPlus
- MDmesh™V
- MESHOVERLAY
- MESHOVERLAY??
- MESHOVERLAY?II
- MESHOVERLAY?III
- MESHOVERLAY™
- Mdmesh??V
- MdmeshII
- MdmeshV
- MegaMOS™
- N-channelMDmesh
- N-channelSTripFET
- NexFET
- NexFET™
- OptiMOS??
- OptiMOS™
- OptimWatt??
- OptimWatt™
- POWERMOSV®
- PolarHT™
- PolarHT™HiPerFET™
- PolarHV™
- PolarP™
- PolarVHV™
- Polar™
- PowerMESH
- PowerMESHII
- PowerMESH™
- PowerPAIR®、TrenchFET®
- PowerTrench®
- PowerTrench®、SyncFET™
- QFET®
- SDMOS™
- SIPMOS?
- SIPMOS®
- SIPMOS™
- SIRxxxDP
- SISxxxADN
- SISxxxDN
- SPM®
- SQSeries
- SRFET??
- SRFET™
- STripFET
- STripFET??II
- STripFET??III
- STripFET??V
- STripFETII
- STripFETIII
- STripFETV
- STripFETVI、DeepGATE
- STripFET™
- STripFET™II
- STripFET™III
- STripFET™V
- SkyFET®、TrenchFET®
- StrongIRFET™
- SuperFET™
- SuperFET®II
- SuperFET®III
- SuperMESH
- SuperMESH™
- SuperMOS™
- SupreMOS™
- SymFET™
- TEMPFET®
- TMOS®
- ThunderFET
- ThunderFET®
- TinyFET®
- TrenchFET
- TrenchFET®
- TrenchFET®GenII
- TrenchFET®GenIII
- TrenchFET®GenIV
- TrenchMOS™
- TrenchMV™
- TrenchP™
- U-MOSIII
- U-MOSIV
- U-MOSIX
- U-MOSIX-H
- U-MOSVI
- U-MOSVII
- U-MOSVII-H
- U-MOSVIII-H
- UltraFASTmesh
- UltraFASTmesh™
- UltraFET™
- UltraFRFET™、Unifet™
- UniFET-II™
- UniFET™
- Z-FET™
- Z-FET™Z-Rec™
- Z-MOS™
- Z-REC™
- aMOS™
- eGaN?
- eGaN®
- µCool
- µCool™
- π-MOSIV
- π-MOSV
- π-MOSVI
-
FETタイプ
- 2 N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2 N-チャンネル（デュアル）非対称
- 2 Nチャンネル（デュアル）
- 2 Pチャンネル（デュアル）
- 2N-チャンネル(デュアル)コモンドレイン
- 2N-チャンネル(デュアル)非対称
- 2N-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2N-チャンネル（デュアル）非対称
- 2Nチャネル
- 2Nチャンネル
- 2Nチャンネル(デュアル)
- 2Nチャンネル(デュアルバックチョッパ)
- 2Nチャンネル（デュアル）
- 2Nチャンネル（デュアル）整合ペア
- 2P-チャンネル(デュアル)コモンドレイン
- 2P-チャンネル（デュアル）コモンドレイン
- 2Pチャンネル
- 2Pチャンネル(デュアル)
- 2Pチャンネル(デュアル)コモンソ-ス
- 2Pチャンネルル（デュアル）整合ペア
- 2Pチャンネル（デュアル）
- LDMOS（2個）
- Nチャネル(デュアル)コモンソ-ス×2
- Nチャネル（デュアル）コモンソース×2
- Nチャンネル2個(ハ-フブリッジ)
- Nチャンネル2個（ハーフブリッジ）
- 2Nチャンネルおよび2Pチャンネル整合ペア
- Nチャンネル2個およびPチャンネル2個(Hブリッジ)
- Nチャンネル2個およびPチャンネル2個（Hブリッジ）
- 3N-Channel(HalfBridge+SynchronousBootstrap)
- 3Nチャンネル(位相レッグ+昇圧チョッパ)
- 3Nチャンネル（ハーフブリッジ+同期式ブートストラップ）
- 3Nおよび3Pチャネル（3相ブリッジ）
- 4Nチャンネル、整合ペア
- 4Nチャンネル（ハーフブリッジ）
- 4Pチャンネル、整合ペア
- Nチャンネル4個
- Nチャンネル4個(Hブリッジ)
- Nチャンネル4個（Hブリッジ）
- 5Nチャンネル、コモンソース
- 5Nチャンネル（ソーラーインバータ）
- 5Pチャンネル、コモンソース
- 6Nチャンネル(3相ブリッジ)
- 6Nチャンネル（3相ブリッジ）
- 6Nおよび6Pチャンネル
- Nチャンネル8個、共通ゲート、コモンソース
- Complementary
- Dual
- DualCommonSource
- DualDualDrain
- GaNFETNチャンネル、窒化ガリウム
- HEMT
- LDMOS
- MOSFET Nチャンネル
- MOSFET Nチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFET Nチャンネル、ショットキー、酸化金属
- MOSFET Nチャンネル、酸化金属
- MOSFET Pチャンネル
- MOSFET Pチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFET Pチャンネル、酸化金属
- MOSFETNチャンネル、ショットキ-、酸化金属
- MOSFETNチャンネル、酸化金属
- MOSFETPチャンネル、ショットキー、酸化金属
- MOSFETPチャンネル、酸化金属
- NおよびPチャンネル
- NおよびPチャンネル、コモンドレイン
- NおよびPチャンネルコンプリメンタリ
- Nチャンネル
- NチャンネルJFET
- Nチャンネルデュアルゲート
- Pチャンネル
- SiCFETNチャンネル、シリコンカ-バイド
- Single
- SingleDualDrain
- SingleDualSource
- SingleHexDrain
- SingleQuadDrain
- SingleQuadDrainDualSource
- SingleQuadDrainTripleSource
- SingleQuintDrainDualSource
- SingleQuintSource
- SinglewithSchottkyDiode
- Triple
- pHEMTFET
-
トランジスタタイプ
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実装タイプ
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- ADVANCED LINEAR (1)
- Ａｖａｇｏ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ (1)
- Ａｌｐｈａ Ａｎｄ Ｏｍｅｇａ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ (1)
- ＩＸＹＳ (2)
- Ｉｎｆｉｎｅｏｎ (42)
- Ｅｘａｒ (1)
- ＳＴＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ (14)
- ＮＸＰ (13)
- MACOM (1)
- オンセミコンダクター (215)
- Ｃｒｅｅ (1)
- Ｃｏｍｃｈｉｐ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ (1)
- SANKEN ELECTRIC (1)
- CEL (1)
- GENESIC SEMICON (1)
- Ｃｅｎｔｒａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ (1)
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- ＴＴ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ (2)
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- Ｖｉｓｈａｙ (6)
- フェアチャイルド (1)
- Micro Commercial Components (1)
- Ｍｉｃｒｏｓｅｍｉ (1)
- Ｍｉｃｒｏｃｈｉｐ (1)
- Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃ Ｐｏｗｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ (1)
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NXP PNP トランジスタ, 60 V, 1 A, 3 + Tab-Pin SOT-223
ＮＸＰ
評価 0.0・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V
・パッケージタイプ = SOT-223
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 1 W
・最小DC電流ゲイン = 100
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 145 MHz
・ピン数 = 3 + Tab
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 59円 通常出荷日 ： 6日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Nexperia NPN ダーリントンペア, 80 V, 1 A, hFE≧1000, 4-Pin UPAK
ＮＸＰ
評価 0.0・トランジスタタイプ = NPN
・最大連続コレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・パッケージタイプ = UPAK
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 4
・トランジスタ構成 = シングル
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最小DC電流ゲイン = 1000
・最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.9 V
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.3 V
・最大コレクタカットオフ電流 = 0.00005mA
・動作温度 Min = -65℃- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 148円 通常出荷日 ： 6日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 800 mA, 3-Pin TO-92
オンセミコンダクター
評価 0.0・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 800 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
・パッケージタイプ = TO-92
・実装タイプ = スルーホール
・最大パワー消費 = 625 mW
・最小DC電流ゲイン = 60
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・幅 = 3.86mm- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 175円 通常出荷日 ： 4日目 -
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ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 1.25 A, 3 ピン パッケージSOT-23
オンセミコンダクター
評価 0.0・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 1.25 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOT-23
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 500 mW
・標準ターンオフ遅延時間 = 16.5 ns- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 228円 通常出荷日 ： 4日目 -
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ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 2.7 A, 3 ピン パッケージSOT-23
オンセミコンダクター
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 2.7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 183 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOT-23
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 1.5 W
・幅 = 2.92mm- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 384円 通常出荷日 ： 4日目 -
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 8 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = IPAK (TO-251)
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 80 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 131円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 9 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 250 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 618円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 19 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 19 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8.5 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 74円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 18 A, 6 ピン パッケージSOP TPC シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 18 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 6
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 205円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 12 A, 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 12 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.3 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 V通常価格(税別) ： 154円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 13 A, 8 ピン パッケージSOIC
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 13 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOIC
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 125円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 18 A, 8 ピン
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 18 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 1.9 W
・動作温度 Min = -55℃- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 322円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 40 V, 12 A, 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 12 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 291円 通常出荷日 ： 6日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 16 A, 8 ピン パッケージSOP
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 16 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mm- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 280円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 4.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 4.5 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 950 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 30 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 194円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 60 W
・寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mm- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 96円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = IPAK (TO-251)
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 60 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 380 pF @ 300 V通常価格(税別) ： 110円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 62 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 62 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 400 W
・動作温度 Max = +150℃- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 1,437円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 157 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 192 W
・長さ = 10.16mm通常価格(税別) ： 303円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 30 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 174円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 100W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 185円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 6.8 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 6.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
・最大パワー消費 = 60 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 108円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 34 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 34 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 35 W
・トランジスタ素材 = Si通常価格(税別) ： 223円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 35 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 35 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 270 W
・幅 = 5.02mm通常価格(税別) ： 1,191円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 60 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 30 W
・標準ターンオフ遅延時間 = 36 ns- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 276円 通常出荷日 ： 1日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 50 A, 3 ピン パッケージSC-65
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 50 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = SC-65
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 400 W
・動作温度 Max = +150℃通常価格(税別) ： 2,072円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 30 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 172円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 30 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = +20 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 260 W @ 25℃
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 520円 通常出荷日 ： 1日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-3PN DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 31 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 230 W
・標準ターンオン遅延時間 = 70 ns通常価格(税別) ： 1,323円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 15 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 210 W
・標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 V- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 515円 通常出荷日 ： 1日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 17.3 A, 3 ピン パッケージI2PAK (TO-262)
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 17.3 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = I2PAK (TO-262)
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 165 W
・順方向ダイオード電圧 = 1.7V通常価格(税別) ： 366円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 45 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 517円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3P
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 165 W
・標準ターンオン遅延時間 = 50ns- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 928円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 20 A, 3+Tab ピン パッケージTO-3P DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3P
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3+Tab
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 165 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1通常価格(税別) ： 637円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 80 V, 214 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 214 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.2 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 45 W
・標準ターンオン遅延時間 = 53 ns通常価格(税別) ： 414円 通常出荷日 ： 2日目 -
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 9.7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 30 W
・標準ターンオン遅延時間 = 45ns- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 393円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 11.1 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
・最大パワー消費 = 100 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 217円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージTSM
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 39 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TSM
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 700 mW
・寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.7mm- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 110円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 100 mA
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 150 mW
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 V- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 40円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba デュアル Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 500 mA, 6 ピン パッケージUF
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 500 mA
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 145 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V
・パッケージタイプ = UF
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = 絶縁型
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 500 mW
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 245 pF @ 10 V- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 80円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin SMini
東芝
評価 0.0・トランジスタタイプ = PNP
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大連続コレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
・標準入力抵抗 = 4.7 kΩ
・ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ
・パッケージタイプ = SMini
・ピン数 = 3
・最小DC電流ゲイン = 80
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V
・標準抵抗比 = 0.1
・動作温度 Max = +150℃通常価格(税別) ： 130円 通常出荷日 ： 1日目 -
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Toshiba デュアル NPN + PNP デジタルトランジスタ, 50V, 10 kΩ, 6-Pin US
東芝
評価 0.0・トランジスタタイプ = NPN + PNP
・1チップ当たりのエレメント数 = 2
・最大連続コレクタ電流 = 100 (NPN) mA、-100 (PNP) mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 (NPN) V、-50 (PNP) V
・標準入力抵抗 = 10 kΩ
・実装タイプ = 表面実装
・パッケージタイプ = US
・ピン数 = 6
・最小DC電流ゲイン = 80
・トランジスタ構成 = 絶縁型
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 (NPN) V、-0.3 (PNP) V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 (NPN) V、-6 (PNP) V
・標準抵抗比 = 0.21、1
・寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm通常価格(税別) ： 46円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 4.6 A, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 4.6 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 137 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
・パッケージタイプ = UFM
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1 W
・寸法 = 2 x 1.7 x 0.7mm通常価格(税別) ： 80円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET, 50 V, 50 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 50 mA
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -7 V
・パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 200 mW
・動作温度 Max = +150℃- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 30円 通常出荷日 ： 2日目 -
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Toshiba Pチャンネル MOSFET, 60 V, 5 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
東芝
評価 0.0・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 5 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 20 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 700 pF @ -10 V- 数量スライド割引
通常価格(税別) ： 154円 通常出荷日 ： 2日目
| メーカー |
|---|
| シリーズ名 |
| 通常価格 (税別) |
| 通常出荷日 |
| デバイスパッケージ |
| 種別 |
| シリーズ |
| FETタイプ |
| トランジスタタイプ |
| 実装タイプ |
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| |
| メーカー | ＮＸＰ | ＮＸＰ | オンセミコンダクター | オンセミコンダクター | オンセミコンダクター | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 |
| シリーズ名 | ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 1.25 A, 3 ピン パッケージSOT-23 | ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 2.7 A, 3 ピン パッケージSOT-23 | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 8 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 19 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ | Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 40 V, 12 A, 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 4.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 62 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 6.8 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 34 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 35 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-3PN DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 15 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 17.3 A, 3 ピン パッケージI2PAK (TO-262) | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 20 A, 3+Tab ピン パッケージTO-3P DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 80 V, 214 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70) | Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET, 50 V, 50 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ | |||||||||||||||||
| 通常価格 (税別) | 59円 数量別スライド値引 | 148円 数量別スライド値引 | 175円 数量別スライド値引 | 228円 数量別スライド値引 | 384円 数量別スライド値引 | 131円 | 618円 数量別スライド値引 | 74円 数量別スライド値引 | 205円 | 154円 | 125円 | 322円 数量別スライド値引 | 291円 数量別スライド値引 | 280円 数量別スライド値引 | 194円 | 96円 数量別スライド値引 | 110円 | 1,437円 数量別スライド値引 | 303円 | 174円 | 185円 数量別スライド値引 | 108円 数量別スライド値引 | 223円 | 1,191円 | 276円 数量別スライド値引 | 2,072円 | 172円 数量別スライド値引 | 520円 数量別スライド値引 | 1,323円 | 515円 数量別スライド値引 | 366円 | 517円 数量別スライド値引 | 928円 数量別スライド値引 | 637円 | 414円 | 393円 数量別スライド値引 | 217円 数量別スライド値引 | 110円 数量別スライド値引 | 40円 数量別スライド値引 | 80円 数量別スライド値引 | 130円 | 46円 | 80円 | 30円 数量別スライド値引 | 154円 数量別スライド値引 |
| 通常出荷日 | 6日目 | 6日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 6日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 |
| デバイスパッケージ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 種別 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| シリーズ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| FETタイプ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| トランジスタタイプ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
| 実装タイプ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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