(!)Windows7 は、2020年1月14日のマイクロソフト社サポート終了に伴い、当サイト推奨環境の対象外とさせていただきます。
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NXP PNP トランジスタ, 60 V, 1 A, 3 + Tab-Pin SOT-223
NXP
・トランジスタタイプ = PNP
・最大DCコレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 60 V
・パッケージタイプ = SOT-223
・実装タイプ = 表面実装
・最大パワー消費 = 1 W
・最小DC電流ゲイン = 100
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 60 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 145 MHz
・ピン数 = 3 + Tab
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.5 V
通常価格(税別) : | 59円 |
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通常出荷日 : | 6日目 |
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Nexperia NPN ダーリントンペア, 80 V, 1 A, hFE≧1000, 4-Pin UPAK
NXP
・トランジスタタイプ = NPN
・最大連続コレクタ電流 = 1 A
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 80 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・パッケージタイプ = UPAK
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 4
・トランジスタ構成 = シングル
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最小DC電流ゲイン = 1000
・最大ベース-エミッタ間飽和電圧 = 1.9 V
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 90 V
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 1.3 V
・最大コレクタカットオフ電流 = 0.00005mA
・動作温度 Min = -65℃
通常価格(税別) : | 148円 |
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通常出荷日 : | 6日目 |
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ON Semiconductor NPN トランジスタ, 50 V, 800 mA, 3-Pin TO-92
オンセミコンダクター
・トランジスタタイプ = NPN
・最大DCコレクタ電流 = 800 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
・パッケージタイプ = TO-92
・実装タイプ = スルーホール
・最大パワー消費 = 625 mW
・最小DC電流ゲイン = 60
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-ベース間電圧 = 50 V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 5 V
・最大動作周波数 = 100 MHz
・ピン数 = 3
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・幅 = 3.86mm
通常価格(税別) : | 175円 |
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通常出荷日 : | 4日目 |
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ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 1.25 A, 3 ピン パッケージSOT-23
オンセミコンダクター
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 1.25 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 170 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOT-23
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 500 mW
・標準ターンオフ遅延時間 = 16.5 ns
通常価格(税別) : | 228円 |
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通常出荷日 : | 4日目 |
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ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 2.7 A, 3 ピン パッケージSOT-23
オンセミコンダクター
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 2.7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 183 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOT-23
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 1.5 W
・幅 = 2.92mm
通常価格(税別) : | 384円 |
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通常出荷日 : | 4日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 8 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) DTMOSIV シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 500 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = IPAK (TO-251)
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 80 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 131円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 9 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 900 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.3Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 250 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 618円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 19 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 19 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 8.5 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最低ゲートしきい値電圧 = 1.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 74円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 18 A, 6 ピン パッケージSOP TPC シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 18 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.5Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 6
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 205円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 40 V, 12 A, 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 12 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 13.3 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 1620 pF @ 10 V
通常価格(税別) : | 154円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 13 A, 8 ピン パッケージSOIC
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 13 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 14.7 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOIC
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 125円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 30 V, 18 A, 8 ピン
東芝
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 18 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 1.9 W
・動作温度 Min = -55℃
通常価格(税別) : | 322円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 40 V, 12 A, 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 12 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 40 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 1.9 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 291円 |
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通常出荷日 : | 6日目 |
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Toshiba Pチャンネル MOSFET, 30 V, 16 A, 8 ピン パッケージSOP
東芝
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 16 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6.9 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V、+20 V
・パッケージタイプ = SOP
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 8
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1.9 W
・寸法 = 5.5 x 4.4 x 1.5mm
通常価格(税別) : | 280円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 4.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 4.5 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 950 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 30 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 194円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 60 W
・寸法 = 6.6 x 7.18 x 2.3mm
通常価格(税別) : | 96円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251)
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = IPAK (TO-251)
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 60 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 380 pF @ 300 V
通常価格(税別) : | 110円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 62 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 62 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 40 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 400 W
・動作温度 Max = +150℃
通常価格(税別) : | 1,437円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 157 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4.3 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 192 W
・長さ = 10.16mm
通常価格(税別) : | 303円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 600 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 30 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 174円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 7 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 1.22Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 100W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 185円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 6.8 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 6.8 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 800 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
・最大パワー消費 = 60 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 108円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 34 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 34 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 9.5 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 35 W
・トランジスタ素材 = Si
通常価格(税別) : | 223円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 35 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 35 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 95 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-247
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 270 W
・幅 = 5.02mm
通常価格(税別) : | 1,191円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 60 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 10.4 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 30 W
・標準ターンオフ遅延時間 = 36 ns
通常価格(税別) : | 276円 |
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通常出荷日 : | 1日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 50 A, 3 ピン パッケージSC-65
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 50 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 65 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = SC-65
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 400 W
・動作温度 Max = +150℃
通常価格(税別) : | 2,072円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 30 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 172円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 250 V, 30 A, 3 ピン パッケージTO-3PN
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 30 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 250 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 0.06 Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 1.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = +20 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 260 W @ 25℃
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 520円 |
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通常出荷日 : | 1日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-3PN DTMOSIV シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 31 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 88 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 230 W
・標準ターンオン遅延時間 = 70 ns
通常価格(税別) : | 1,323円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 15 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 15 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 400 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3PN
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 210 W
・標準ゲートチャージ @ Vgs = 38 nC @ 10 V
通常価格(税別) : | 515円 |
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通常出荷日 : | 1日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 17.3 A, 3 ピン パッケージI2PAK (TO-262)
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 17.3 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 200 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = I2PAK (TO-262)
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 165 W
・順方向ダイオード電圧 = 1.7V
通常価格(税別) : | 366円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 45 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 517円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
比較リストに追加いただけるのは最大6件までです。
Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 155 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3P
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 165 W
・標準ターンオン遅延時間 = 50ns
通常価格(税別) : | 928円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 20 A, 3+Tab ピン パッケージTO-3P DTMOSIV シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 20 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 175 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 3V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-3P
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3+Tab
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチング レギュレータ
・最大パワー消費 = 165 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 637円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 80 V, 214 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 214 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 80 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3.2 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 4V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 45 W
・標準ターンオン遅延時間 = 53 ns
通常価格(税別) : | 414円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 9.7 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 380 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = TO-220SIS
・実装タイプ = スルーホール
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 30 W
・標準ターンオン遅延時間 = 45ns
通常価格(税別) : | 393円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 11.1 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 650 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 440 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 3.5V
・最低ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = スイッチングレギュレータMOSFET
・最大パワー消費 = 100 W
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
通常価格(税別) : | 217円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 4 A, 3 ピン パッケージTSM
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 4 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 39 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = TSM
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 700 mW
・寸法 = 2.9 x 1.6 x 0.7mm
通常価格(税別) : | 110円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70)
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 100 mA
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 4Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 1.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = SOT-323 (SC-70)
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 150 mW
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 7.8 pF @ 3 V
通常価格(税別) : | 40円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba デュアル Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 500 mA, 6 ピン パッケージUF
東芝
・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 500 mA
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 30 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 145 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 1.1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V
・パッケージタイプ = UF
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = 絶縁型
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 500 mW
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 245 pF @ 10 V
通常価格(税別) : | 80円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba PNP デジタルトランジスタ, 50 V, 100 mA, 4.7 kΩ, 3-Pin SMini
東芝
・トランジスタタイプ = PNP
・1チップ当たりのエレメント数 = 1
・最大連続コレクタ電流 = 100 mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
・標準入力抵抗 = 4.7 kΩ
・ベースエミッタ抵抗器 = 47kΩ
・パッケージタイプ = SMini
・ピン数 = 3
・最小DC電流ゲイン = 80
・トランジスタ構成 = シングル
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V
・標準抵抗比 = 0.1
・動作温度 Max = +150℃
通常価格(税別) : | 130円 |
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通常出荷日 : | 1日目 |
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Toshiba デュアル NPN + PNP デジタルトランジスタ, 50V, 10 kΩ, 6-Pin US
東芝
・トランジスタタイプ = NPN + PNP
・1チップ当たりのエレメント数 = 2
・最大連続コレクタ電流 = 100 (NPN) mA、-100 (PNP) mA
・最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 (NPN) V、-50 (PNP) V
・標準入力抵抗 = 10 kΩ
・実装タイプ = 表面実装
・パッケージタイプ = US
・ピン数 = 6
・最小DC電流ゲイン = 80
・トランジスタ構成 = 絶縁型
・最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 (NPN) V、-0.3 (PNP) V
・最大エミッタ-ベース間電圧 = 6 (NPN) V、-6 (PNP) V
・標準抵抗比 = 0.21、1
・寸法 = 2 x 1.25 x 0.9mm
通常価格(税別) : | 46円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Pチャンネル MOSFET, 20 V, 4.6 A, 3 ピン パッケージUFM SSM3 シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 4.6 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 137 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 1V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -8 V, +8 V
・パッケージタイプ = UFM
・実装タイプ = 表面実装
・ピン数 = 3
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 1 W
・寸法 = 2 x 1.7 x 0.7mm
通常価格(税別) : | 80円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET, 50 V, 50 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ
東芝
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 50 mA
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 50 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 50 Ω
・最大ゲートしきい値電圧 = 2.5V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -7 V
・パッケージタイプ = SOT-346 (SC-59)
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = 小信号
・最大パワー消費 = 200 mW
・動作温度 Max = +150℃
通常価格(税別) : | 30円 |
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通常出荷日 : | 2日目 |
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Toshiba Pチャンネル MOSFET, 60 V, 5 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
東芝
・チャンネルタイプ = P
・最大連続ドレイン電流 = 5 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 250 mΩ
・最大ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・最大パワー消費 = 20 W
・標準入力キャパシタンス @ Vds = 700 pF @ -10 V
通常価格(税別) : | 154円 |
---|---|
通常出荷日 : | 2日目 |
メーカー |
---|
シリーズ名 |
通常価格 (税別) |
通常出荷日 |
デバイスパッケージ |
種別 |
シリーズ |
FETタイプ |
トランジスタタイプ |
実装タイプ |
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メーカー | NXP | NXP | オンセミコンダクター | オンセミコンダクター | オンセミコンダクター | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 | 東芝 |
シリーズ名 | ON Semiconductor Pチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 1.25 A, 3 ピン パッケージSOT-23 | ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 2.7 A, 3 ピン パッケージSOT-23 | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 8 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 900 V, 9 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 30 V, 19 A, 8 ピン パッケージSOP U-MOSVIII-H シリーズ | Toshiba Pチャンネル パワーMOSFET, 40 V, 12 A, 8 ピン パッケージSOP TPC シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 4.5 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージIPAK (TO-251) | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 62 A, 3 ピン パッケージTO-247 TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 80 V, 157 A, 3 ピン パッケージTO-220 U-MOSVIII-H シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 6.8 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 100 V, 34 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 35 A, 3 ピン パッケージTO-247 DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 60 V, 60 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 5.4 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 600 V, 31 A, 3 ピン パッケージTO-3PN DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 500 V, 15 A, 3 ピン パッケージTO-3PN TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 650 V, 17.3 A, 3 ピン パッケージI2PAK (TO-262) | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 20 A, 3 ピン パッケージTO-3P TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET MOSFET, 600 V, 20 A, 3+Tab ピン パッケージTO-3P DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 80 V, 214 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS U-MOSVIII-H シリーズ | Toshiba Nチャンネル パワーMOSFET, 600 V, 9.7 A, 3 ピン パッケージTO-220SIS TK シリーズ | Toshiba Nチャンネル MOSFET, 650 V, 11.1 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252) DTMOSIV シリーズ | Toshiba Nチャンネル 小信号 MOSFET, 30 V, 100 mA, 3 ピン パッケージSOT-323 (SC-70) | Toshiba Pチャンネル 小信号 MOSFET, 50 V, 50 mA, 3 ピン パッケージSOT-346 (SC-59) 2SJ シリーズ | |||||||||||||||||
通常価格 (税別) | 59円 数量別スライド値引 | 148円 数量別スライド値引 | 175円 数量別スライド値引 | 228円 数量別スライド値引 | 384円 数量別スライド値引 | 131円 | 618円 数量別スライド値引 | 74円 数量別スライド値引 | 205円 | 154円 | 125円 | 322円 数量別スライド値引 | 291円 数量別スライド値引 | 280円 数量別スライド値引 | 194円 | 96円 数量別スライド値引 | 110円 | 1,437円 数量別スライド値引 | 303円 | 174円 | 185円 数量別スライド値引 | 108円 数量別スライド値引 | 223円 | 1,191円 | 276円 数量別スライド値引 | 2,072円 | 172円 数量別スライド値引 | 520円 数量別スライド値引 | 1,323円 | 515円 数量別スライド値引 | 366円 | 517円 数量別スライド値引 | 928円 数量別スライド値引 | 637円 | 414円 | 393円 数量別スライド値引 | 217円 数量別スライド値引 | 110円 数量別スライド値引 | 40円 数量別スライド値引 | 80円 数量別スライド値引 | 130円 | 46円 | 80円 | 30円 数量別スライド値引 | 154円 数量別スライド値引 |
通常出荷日 | 6日目 | 6日目 | 4日目 | 4日目 | 4日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 6日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 1日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 | 2日目 |
デバイスパッケージ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
種別 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
シリーズ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
FETタイプ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
トランジスタタイプ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
実装タイプ | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - |
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