ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 17 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)

ON Semiconductor Nチャンネル パワーMOSFET, 60 V, 17 A, 3 ピン パッケージDPAK (TO-252)
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通常単価:
598
通常出荷日:
4日目

・チャンネルタイプ = N
・最大連続ドレイン電流 = 17 A
・最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
・最大ドレイン-ソース間抵抗 = 63 mΩ
・最低ゲートしきい値電圧 = 2V
・最大ゲート-ソース間電圧 = -25 V, +25 V
・パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
・実装タイプ = 表面実装
・トランジスタ構成 = シングル
・チャンネルモード = エンハンスメント型
・カテゴリー = パワーMOSFET
・最大パワー消費 = 2500 mW
・標準ターンオン遅延時間 = 5 ns

QFET® NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor製の新しいQFET®平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。 これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。

型番

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FQD20N06TM

型番
FQD20N06TM
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